公开(公告)号：CN103035773B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201210367394.5

申请日：2012-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 沼泽阳一郎 ,  前田泰 ,  樋浦吉和 ,  山崎舜平

IPC: H01L31/105

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种电阻损失少且转换效率高的光电转换装置。光电转换装置包括：在一对电极之间，在具有一导电型的结晶硅衬底的一个面形成具有与该结晶硅衬底相反的导电型的第一硅半导体层，在该结晶硅衬底的另一个面形成具有与该结晶硅衬底相同的导电型的第二硅半导体层，第一硅半导体层及第二硅半导体层在厚度方向上为载流子浓度不同的结构。

公开(公告)号：CN103035773A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210367394.5

申请日：2012-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 沼泽阳一郎 ,  前田泰 ,  樋浦吉和 ,  山崎舜平

IPC: H01L31/105

CPC classification number: H01L31/072 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种电阻损失少且转换效率高的光电转换装置。光电转换装置包括：在一对电极之间，在具有一导电型的结晶硅衬底的一个面形成具有与该结晶硅衬底相反的导电型的第一硅半导体层，在该结晶硅衬底的另一个面形成具有与该结晶硅衬底相同的导电型的第二硅半导体层，第一硅半导体层及第二硅半导体层在厚度方向上为载流子浓度不同的结构。