公开(公告)号：CN101540276B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910128584.X

申请日：2009-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古野诚 ,  杉山徹朗 ,  野泽太一 ,  一条充弘 ,  田岛亮太 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 通过使用第一涡轮分子泵与第二涡轮分子泵串联连接的排气单元将反应室内的到达的最低压力降低到超高真空区域。并且，进一步通过刀口型金属密封法兰降低反应室的泄漏量。由此在降低到超高真空区域的同一反应室内层叠微晶半导体膜和非晶半导体膜。通过形成覆盖微晶半导体膜表面的非晶半导体膜可以防止微晶半导体膜的氧化。

公开(公告)号：CN101540276A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128584.X

申请日：2009-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 古野诚 ,  杉山徹朗 ,  野泽太一 ,  一条充弘 ,  田岛亮太 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 通过使用第一涡轮分子泵与第二涡轮分子泵串联连接的排气单元将反应室内的到达的最低压力降低到超高真空区域。并且，进一步通过刀口型金属密封法兰降低反应室的泄漏量。由此在降低到超高真空区域的同一反应室内层叠微晶半导体膜和非晶半导体膜。通过形成覆盖微晶半导体膜表面的非晶半导体膜可以防止微晶半导体膜的氧化。