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公开(公告)号：CN111524967B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010201041.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L27/12 , C01G15/00
Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。
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公开(公告)号：CN111316448A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880072450.8
申请日：2018-10-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种高可靠性半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的彼此分离的第一导电体及第二导电体；第二氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘膜；以及隔着第三氧化物及第二绝缘膜位于第二氧化物上的第三导电体，并且第三氧化物包含金属元素及氮，该金属元素与氮键合。
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公开(公告)号：CN104867981B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201510086792.3
申请日：2015-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。
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公开(公告)号：CN105870196A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610250240.6
申请日：2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , C23C14/086 , G01N23/207 , G02F1/1368 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L22/12 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。
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公开(公告)号：CN105734493A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610250248.2
申请日：2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/08 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , C23C14/086 , G01N23/207 , G02F1/1368 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L22/12 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117690977A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311531376.0
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供了半导体装置，其包括：第一绝缘体；第二绝缘体；氧化物；第一及第二导电体；氧化物、第一及第二导电体上的第三绝缘体；第三绝缘体上且至少一部分与第一和第二导电体之间的区域重叠的第三导电体；覆盖氧化物、第一、第二、第三导电体及第三绝缘体的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；第七绝缘体；和第八绝缘体，其中第七绝缘体与第一导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第一导电体的侧面及氧化物的第一侧面接触，第八绝缘体与第二导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第二导电体的侧面及氧化物的第二侧面接触，第四绝缘体的一部分中形成到达第二绝缘体的开口，且第五绝缘体通过该开口与第二绝缘体接触。
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公开(公告)号：CN111033702A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054552.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L27/11519 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝缘体上的第五绝缘体以及配置在第五绝缘体上的第六绝缘体，在第四绝缘体的至少一部分中形成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。
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公开(公告)号：CN104769150A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380058422.8
申请日：2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/08 , C01B13/14 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , C23C14/086 , G01N23/207 , G02F1/1368 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L22/12 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于且小于或等于时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。
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公开(公告)号：CN118588742A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410727601.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L29/04 , C01G15/00 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。
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公开(公告)号：CN111033702B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880054552.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H10B41/10 , H10B41/70 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H10B12/00
Abstract: 成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导 与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的 第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝(56)对比文件CN 106409919 A,2017.02.15CN 107004722 A,2017.08.01JP 2016157937 A,2016.09.01JP 2017098535 A,2017.06.01JP 2017120905 A,2017.07.06US 2008002454 A1,2008.01.03US 2013200375 A1,2013.08.08US 2014339539 A1,2014.11.20US 2015053972 A1,2015.02.26US 2015179803 A1,2015.06.25US 2015280013 A1,2015.10.01US 2015349127 A1,2015.12.03US 2016284859 A1,2016.09.29US 2017170211 A1,2017.06.15WO 2017072627 A1,2017.05.04
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