公开(公告)号：CN112335024A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980039953.X

申请日：2019-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 种村和幸 ,  三本菅正太 ,  奥野直树

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  H01L33/16

Abstract: 提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。

公开(公告)号：CN111373515B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201880075796.3

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  远藤佑太 ,  奥野直树

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体材料。半导体材料是包含金属元素和氮的氧化物，金属元素是铟(In)、元素M(M为铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)或锡(Sn))及锌(Zn)，氮被引入到氧化物的氧空位内或者与金属元素的原子键合。

公开(公告)号：CN111418073A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880077616.5

申请日：2018-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  半田拓哉 ,  保坂泰靖 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种可靠性得到提高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第三氧化物上的绝缘体，第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn，其中，第一氧化物及第三氧化物都包括In浓度比第二氧化物低的区域。

公开(公告)号：CN111316448A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072450.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平松智记 ,  野中裕介 ,  石原典隆 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  远藤佑太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种高可靠性半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的彼此分离的第一导电体及第二导电体；第二氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘膜；以及隔着第三氧化物及第二绝缘膜位于第二氧化物上的第三导电体，并且第三氧化物包含金属元素及氮，该金属元素与氮键合。

公开(公告)号：CN119753828A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411921844.X

申请日：2019-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 种村和幸 ,  三本菅正太 ,  奥野直树

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明涉及金属氧氮化物膜的制造方法。提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。

公开(公告)号：CN111373515A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075796.3

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  远藤佑太 ,  奥野直树

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体材料。半导体材料是包含金属元素和氮的氧化物，金属元素是铟(In)、元素M(M为铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)或锡(Sn))及锌(Zn)，氮被引入到氧化物的氧空位内或者与金属元素的原子键合。

公开(公告)号：CN112335024B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201980039953.X

申请日：2019-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 种村和幸 ,  三本菅正太 ,  奥野直树

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H10D30/67 ,  H10H20/817

Abstract: 提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。