公开(公告)号：CN111418073A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880077616.5

申请日：2018-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  半田拓哉 ,  保坂泰靖 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种可靠性得到提高的半导体装置。一种半导体装置，包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物及第三氧化物上的绝缘体，第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn，其中，第一氧化物及第三氧化物都包括In浓度比第二氧化物低的区域。

公开(公告)号：CN107658229A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710599967.X

申请日：2017-07-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中泽安孝 ,  半田拓哉 ,  渡边正宽

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是使半导体装置具有良好的电特性。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置。一种包含金属氧化物的半导体装置，该半导体装置包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的金属氧化物、金属氧化物上的一对电极、以及与金属氧化物接触的第二绝缘膜，金属氧化物包括第一金属氧化物、以及与第一金属氧化物的顶面接触的第二金属氧化物，第一金属氧化物及第二金属氧化物都包含In、元素M(M是镓、铝、硅等)及Zn，第一金属氧化物具有其结晶性低于第二金属氧化物的区域，第二绝缘膜具有其厚度小于第二金属氧化物的区域。

公开(公告)号：CN117178361A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280027779.9

申请日：2022-04-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  半田拓哉

IPC: H01L27/088

Abstract: 提供一种电特性优异的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管依次层叠包括第一半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及第一栅电极。第一栅电极具有与第一半导体层重叠的区域。第二晶体管依次层叠包括第二半导体层、第二绝缘层以及第二栅电极。第二栅电极具有与第二半导体层重叠的区域。