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公开(公告)号：CN1767707B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200510099447.X
申请日：2001-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/12 , H01L29/786 , G09G3/30
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/15 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3295 , H01L29/78645 , H01L29/78669 , H01L51/0097 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/525 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , Y10S428/917
Abstract: 提供了明亮和高度可靠的发光器件。阳极(102)、EL层(103)、阴极(104)和辅助电极(105)以叠层顺序地形成在反射电极(101)上。此外，阳极(102)、阴极(104)和辅助电极(105)是对可见光透明或半透明的。在这种结构中，EL层(103)中产生的光几乎全部照射到阴极(104)一侧，由此象素的有效发光面积显著增强。
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公开(公告)号：CN100592480C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200610101669.5
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：在衬底上形成的薄膜晶体管，包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极，在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜；形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线；其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜；其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。本发明还涉及包括上述半导体器件的便携式电话和照相机。
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公开(公告)号：CN100550394C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610002594.5
申请日：1997-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/336
Abstract: 提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层，并在含卤素气氛中热处理，除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。
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公开(公告)号：CN100502053C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610100799.7
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 一种薄膜半导体晶体管结构具有带有电介质表面的衬底和由半导体薄膜构成的有源层，半导体薄膜呈现相当于单晶的结晶度。为制作此晶体管，半导体薄膜形成在衬底上，此膜包括多种晶体的混合物，晶体可是大体上与衬底平行的柱状和/或毛发状晶体。然后，所得结构在含卤素的选定气氛中进行热氧化从而除去在膜中含有的任何金属元素。这就能形成单畴区，在单畴区中各柱状或发毛状晶体接触任何相邻晶体并且能大体认为是其中不存在或包含任何晶界的单晶区。此区用于形成晶体管的有源层。
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公开(公告)号：CN101118923A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610081922.5
申请日：2000-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L2251/5315 , H01L2251/566
Abstract: 为了提供一种高效率薄膜沉积方法，用于精确地薄膜沉积由聚合物制成的有机EL材料而没有任何偏移。像素区被棱分割为多个像素行，薄膜沉积装置的头部沿着像素行扫描从而同时把红光发射层涂敷液体、绿光发射层涂敷液体和蓝光发射层涂敷液体涂敷成条状。然后进行热处理以便形成发射红、绿和蓝色光的光发射层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1952763A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610101676.5
申请日：1997-04-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13392 , G02F1/1341 , G02F1/1362 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F2001/133388
Abstract: 本发明提供了一种制造高像质液晶显示装置的技术，根据像素间距的宽度限定保持液晶层的单元间距的设定范围，尤其，设定单元间距的宽度为像素间距的十分之一，从而可获得高像质的液晶显示装置，它不会产生由于电场影响而引起的像显示失败，例如畸变。
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公开(公告)号：CN1308745C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN02140628.6
申请日：1997-04-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13392 , G02F1/1341 , G02F1/1362 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F2001/133388
Abstract: 本发明提供了一种制造高像质液晶显示装置的技术，根据像素间距的宽度限定保持液晶层的单元间距的设定范围，尤其，设定单元间距的宽度为像素间距的十分之一，从而可获得高像质的液晶显示装置，它不会产生由于电场影响而引起的像显示失败，例如畸变。
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公开(公告)号：CN1734746A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510083684.7
申请日：2000-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/56
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，其包括：在基材上形成至少第一和第二源信号线，所述源信号线在第一方向中延伸，其中第一源信号线被连接到许多的薄膜晶体管，并且第二源信号线被连接到许多的薄膜晶体管；在第一源信号线上形成至少第一条形堤状物，并且在第二源信号线上形成至少第二条形堤状物，其中第一和第二条形堤状物在第一方向中延伸；和在第一和第二条形堤状物之间，在沿着第一方向延伸的至少两个像素上施加包含有机材料的溶液。
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公开(公告)号：CN1607867A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410088072.2
申请日：2000-06-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G3/2018 , G09G3/2022 , G09G3/30 , G09G3/32 , G09G3/3258 , G09G2300/023 , G09G2300/04 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L29/045 , H01L29/0603 , H01L29/786 , H01L29/78621 , H01L29/78624 , H01L29/78627 , H01L33/62 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够进行清晰的多级灰度彩色显示的EL显示器件和配置有EL显示器件的电子设备，其中根据时分法执行灰度显示，在该方法中，设置在一个象素(104)中的发光或非发光的EL元件(109)受时间控制，并且可以避免电路控制TFT(108)的可变性的影响。当采用此法时，数据信号侧驱动电路(102)和栅极信号侧驱动电路(103)与TFT形成在一起，而TFT是利用一种具有特有的晶体结构的硅膜，显示极高的工作速度。
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公开(公告)号：CN1178270C
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN99124857.0
申请日：1997-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/32055 , H01L21/321 , H01L21/3221 , H01L27/10873 , H01L27/12 , H01L27/1277 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层，并在含卤素气氛中热处理，除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。
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