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公开(公告)号：CN1770316A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510109730.6
申请日：2005-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B2005/0002 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 自旋极化电子被注入其中的磁记录元件具有磁化方向由自旋极化电子根据该自旋极化电子的流动方向改变的层次，以及根据该磁化方向记录信息。磁记录元件包括其磁化方向由自旋极化电子的作用改变以及具有自旋极化度Pf的自由层FF。其磁化方向固定的固定层FP具有比自旋极化度Pf大的自旋极化度Pp。中间层设置于固定层和自由层之间，实质上由非磁性材料构成。
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公开(公告)号：CN1937074A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610139885.9
申请日：2006-09-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C11/16 , H03K19/168
CPC classification number: H01F10/3268 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01L29/66984 , H01L43/08 , Y10S977/933
Abstract: 一种磁性元件包括：沟道层；与该沟道层接触的第一磁性电极；与该沟道层接触、并与第一磁性电极绝缘的第二磁性电极；与第一磁性电极邻接设置、并具有第一绝缘层的第一中间层；设置为与该第一中间层的与位于接触第一磁性电极的表面的相反侧的表面接触，以将磁化传递给第一磁性电极的第一磁性层；与第一磁性电极连接的第一电极；以及与第二磁性电极连接的第二电极，第一电极和第二电极中的至少一个输出随第一磁性电极和第二磁性电极的磁化配置变化的第一信号。
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公开(公告)号：CN1770316B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200510109730.6
申请日：2005-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F10/3272 , B82Y25/00 , G11B2005/0002 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/329 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 自旋极化电子被注入其中的磁记录元件具有磁化方向由自旋极化电子根据该自旋极化电子的流动方向改变的层次，以及根据该磁化方向记录信息。磁记录元件包括其磁化方向由自旋极化电子的作用改变以及具有自旋极化度Pf的自由层FF。其磁化方向固定的固定层FP具有比自旋极化度Pf大的自旋极化度Pp。中间层设置于固定层和自由层之间，实质上由非磁性材料构成。
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公开(公告)号：CN101097987A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710137982.9
申请日：2007-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11C16/16 , H01F10/3227 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 根据本发明的一个示例的磁性记录元件包括：磁性自由层(11)，该层的磁化随着流过薄膜的电流方向是可变的，并且该层的磁化的易磁化轴的方向与薄膜平面垂直；磁性被钉扎层(12)，该层的磁化被固定在与薄膜平面垂直的方向上；以及磁性自由层(11)和磁性被钉扎层(12)之间的非磁性阻挡层(13)。在磁性自由层(11)中，饱和磁化强度Ms(emu/cc)和各向异性磁场Han(Oe)之间的关系满足Han＞12.57Ms，以及Han＜1.2E7Ms-1+12.57Ms。
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