公开(公告)号：CN108075039B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201711173404.0

申请日：2017-11-22

申请人： 宁波大学

发明人： 王国祥 ,  李超 ,  聂秋华 ,  沈祥 ,  吕业刚 ,  张亚文

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明公开了一种纳米复合ZnO‑ZnSb相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是其材料化学结构式为(ZnSb)100‑x(ZnO)x，0

公开(公告)号：CN106782645B

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201611164714.1

申请日：2016-12-16

申请人： 宁波大学

发明人： 吕业刚 ,  张巍 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  徐培鹏

IPC分类号： G11C11/42

摘要： 本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型光电存储器件及其测试方法，特点是包括波导，波导两端分别连接有光栅垂直耦合器，波导的两侧对称分布有电极，波导上方设置有相变纳米线，相变纳米线与波导垂直，相变纳米线连接两个电极并形成欧姆接触，优点是可以实现电域和光域同时操作，可以利用光电混合模式实现多级存储，并能监测相变纳米线的瞬态过程，测试其相变速度。

公开(公告)号：CN110137349A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910311284.9

申请日：2019-04-18

申请人： 宁波大学

发明人： 吕业刚 ,  李洋

IPC分类号： H01L45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

摘要： 本发明公开了一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒-富Sb相变薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(VO2)x(Sb4Te)100-x，其中0

公开(公告)号：CN104868053B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510219504.7

申请日：2015-04-30

申请人： 宁波大学

发明人： 龚丽萍 ,  吕业刚 ,  孙景阳 ,  王东明 ,  汪伊曼 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC分类号： H01L45/00 ,  C22C12/00

摘要： 本发明公开了一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料及其制备方法，特点是该材料是一种由锗‑锑‑碲‑硒四种元素组成的材料，其通式为(Sb2Se)x（Ge2Sb2Te5）y，其中Sb2Se摩尔百分含量为0%＜x%≤84%，GST摩尔百分含量16%≤y%≤95%，x+y=100，具体包括以下步骤：将磁控溅射镀膜系统真空度控制为0‑1.6×10‑4Pa，溅射所需起辉气压为0.3Pa；然后将Sb2Se靶上的射频电源功率控制为3‑13W，将GST靶上的射频电源功率控制为5‑50W，溅射时间为10‑60分钟，沉积得到Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料，优点是热稳定性好、数据保持能力强、相变速度快。

公开(公告)号：CN105480955A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510909387.7

申请日：2015-12-10

申请人： 宁波大学

发明人： 李增光 ,  吕业刚 ,  马亚东 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC分类号： C01B19/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16

摘要： 本发明公开了一种Ge-Sb-Se硫系纳米线的制备方法，特点是采用高纯度的Ge20Sb15Se65玻璃粉末作为原料，采用水平管式炉装置，以高纯氩气作为工作气体，采用镀金硅片衬底材料进行表面沉积的步骤；将衬底分别放入去离子水与无水乙醇中用超声清洗的步骤；控制高温区温度450~550℃，低温区300~400℃，氩气流量130~150sccm及真空度1~5torr的步骤；最后沉积90~120分钟制得Ge-Sb-Se硫系纳米线的步骤，优点是工艺可控性强，生产成本低，重复性好，Ge-Sb-Se纳米线均匀致密。

公开(公告)号：CN103247757B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310135767.0

申请日：2013-04-18

申请人： 宁波大学

发明人： 沈祥 ,  王国祥 ,  聂秋华 ,  陈益敏 ,  李军建 ,  徐铁峰 ,  戴世勋 ,  吕业刚

IPC分类号： H01L45/00 ,  C22C12/00

摘要： 本发明公开了一种用于相变存储器的Zn-Sb-Te相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是该材料由锌，锑，碲三种元素组成，其化学结构式为ZnX(Sb2Te3)100-X，0

公开(公告)号：CN104328326A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410473416.5

申请日：2014-09-17

申请人： 宁波大学

发明人： 王国祥 ,  沈祥 ,  徐培鹏 ,  吕业刚 ,  陈益敏 ,  田曼曼 ,  李军建 ,  戴世勋 ,  聂秋华 ,  徐铁峰

IPC分类号： C22C30/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  H01L45/00

CPC分类号： C23C14/35 ,  C22C30/06 ,  C23C14/14 ,  H01L45/065

摘要： 本发明公开了用于相变存储器的Zn-Sb-Se相变存储薄膜材料，特点是相变存储薄膜材料为富Sb的Zn-Sb-Se化合物，其化学结构式为ZnxSbySez，其中：0

公开(公告)号：CN114665011A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210156877.4

申请日：2022-02-21

申请人： 宁波大学

发明人： 吕业刚 ,  孙伟

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

摘要： 本发明公开了一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器，包括硅基平面光波导，特点是波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生晶态至非晶态的可逆相变的相变圆环结构，相变圆环结构卡嵌在金属圆盘和金属圆环之间，相变圆环结构、金属圆盘和金属圆环形成的同心圆结构整体位于波导上表面或者半嵌入波导中或者完全嵌入到波导中，相变圆环结构为相变层Ge2Sb2Te5或Ge2Sb2Se4Te，具有至少两个稳定的状态，即晶态和非晶态，且这两个状态对探测光具有明显不同的吸收系数，优点是相变受热均匀且开关速度更快和功耗更低。

公开(公告)号：CN106744669B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201611046605.X

申请日：2016-11-23

申请人： 宁波大学

发明人： 吕业刚 ,  沈祥 ,  徐培鹏 ,  张巍 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC分类号： B82B3/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法，特点是通过压印方法从沉积的纳米线样品取出并分散少量纳米线，经过光学显微镜选取纳米线并定位，在波导器件上通过曝光‑显影工艺在光刻胶上开一个待转移纳米线尺寸大小的窗口，利用热效应和范德华力作用使得纳米线吸附在波导器件上，采用退火处理增加纳米线和波导之间的黏附力，再采用去胶工艺得到基于单根纳米线的光子器件，优点是实现纳米线的分散，并精确定位单根纳米线转移至波导器件的方法，且转移后，其它未选取的纳米线不会污染波导器件本方法与传统方法相比，更加简单、经济，适用范围更广。

公开(公告)号：CN108279511A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711453218.2

申请日：2017-12-28

申请人： 宁波大学

发明人： 徐培鹏 ,  于增辉 ,  宋以鹏 ,  吕业刚 ,  张巍 ,  吴越豪

IPC分类号： G02F1/00 ,  G02F1/01

摘要： 本发明公开了一种基于相变材料的电光调制器，包括SOI基片，特点是SOI基片上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导，所述的混合波导从下到上依次由硅波导层、相变材料GST层和铜电极层叠加而成，SOI基片包括一层厚度为250nm的硅衬底和一层厚度为2um的二氧化硅层，输入波导的厚度和输出波导的厚度均为250nm、宽度均为400nm，混合波导的厚度为290nm，宽度为400nm，硅波导层一侧通过选择性刻蚀形成厚度为10nm的硅薄膜，优点是具有尺寸小便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较高的调制深度以及较低的插入损耗。