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公开(公告)号：CN115340360B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211043880.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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公开(公告)号：CN107924822B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201680044317.2
申请日：2016-07-29
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L21/205 , C01G15/00 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 一种晶体氧化物半导体薄膜，其特征在于，以氧化铟作为主要成分，含有具有单一的晶体取向的表面晶体颗粒。
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公开(公告)号：CN108546090B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810641136.9
申请日：2013-11-08
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种溅射靶，包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，该氧化物包含InAlO3(ZnO)m(m为0.1～10)表示的同系结构化合物和In2O3表示的方铁锰矿结构化合物。
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公开(公告)号：CN104603323B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201380045405.0
申请日：2013-10-16
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01J37/3429 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，包含以In2O3(ZnO)n(n为2～20)表示的同系结构化合物及以Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物。
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公开(公告)号：CN103354241B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310258582.9
申请日：2011-12-27
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。
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公开(公告)号：CN115340360A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211043880.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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公开(公告)号：CN108085644A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201810112981.7
申请日：2013-10-16
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/02 , H01L29/786
CPC classification number: H01J37/3429 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，包含以In2O3(ZnO)n(n为2～20)表示的同系结构化合物及以Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物。
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公开(公告)号：CN103732790B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280039725.0
申请日：2012-09-06
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01J37/3426 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/34 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其含有烧结体，所述烧结体含有掺杂有Ga的氧化铟、或掺杂有Al的氧化铟，相对于Ga与铟的合计或Al与铟的合计含有大于100原子ppm且在1100原子ppm以下的显示正4价原子价的金属，晶体结构实质上由氧化铟的方铁锰矿结构构成。
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公开(公告)号：CN103400751B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310258151.2
申请日：2011-12-27
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786 , C23C14/10
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。
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公开(公告)号：CN103459655A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280013490.8
申请日：2012-03-26
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01L21/02565 , H01L21/02631
Abstract: 本发明的烧结体是至少含有氧化铟及氧化镓的烧结体，其中，体积为14000μm3以上的空隙的空隙率为0.03体积％以下。
