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公开(公告)号：CN101522431A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037581.4
申请日：2007-06-05
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 本发明提供在记录层的厚度为3nm左右的非常薄的情况下记录信息时的记录灵敏度高、且消除性能也好的信息记录介质。在通过照射光或施加电能而能记录信息的信息记录介质(15)中，至少具有引起相变化的记录层(104)，记录层(104)将选自Zn、Si和C中的至少一种元素和Sb含有共计85原子％以上，优选其组成以组成式Sb100－a1M1a(原子％)(其中，M1为选自Zn、Si和C中的至少一种元素，a1表示以原子％表示的组成，并且满足0＜a1≤50。)来表示。
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公开(公告)号：CN1967688B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610160332.1
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1664941A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510056039.6
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1630117A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410104967.0
申请日：2004-12-15
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L41/08
CPC分类号： H01L41/0933 , B25J7/00 , B25J15/12 , G02B6/3512 , G02B6/352 , G02B6/3578 , G02B6/359 , G02B26/0825 , G02B26/0858 , H01L41/094 , H01L41/0986
摘要： 本发明实现一种压电体薄膜装置，包括：由第一电极、第二电极、以及夹在第一电极和第二电极之间且在膜厚方向具有极化矢量并且若通过第一电极和第二电极施加规定值以上的电压则极化矢量颠倒的压电体薄膜构成的压电体薄膜元件；供给使极化矢量颠倒的电压的电源电路；压电体薄膜根据极化矢量的方向具有不同的晶格常数，压电体薄膜元件即使在不外加电压的状态下，也保持与极化矢量的方向对应的不同的变位位置。
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公开(公告)号：CN101872627B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010113952.6
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/26 , G11B9/00 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN101678693B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880019786.4
申请日：2008-06-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 本发明公开一种信息记录介质(100)，能够利用光的照射或电能的施加而记录信息，其中，至少备有能够产生相变化的记录层(115)。记录层包含锑(Sb)、碳(C)、原子量小于33的轻元素(L)。优选为，轻元素(L)是从B、N、O、Mg、Al以及S中选择的至少一种元素。例如，记录层(115)由用式(1)所表示，且由x和y满足x+y≤50的材料构成，Sb100-x-yCxLy (1)其中，下标100-x-y、x以及y，表示由原子％表示的Sb、C以及L的组成比。
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公开(公告)号：CN100377239C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200510056039.6
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆的相转移的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆的相转移的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶结构的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1967688A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610160332.1
申请日：2000-03-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
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公开(公告)号：CN1514808B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN03800336.8
申请日：2003-02-19
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L41/187
CPC分类号： C23C14/088 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , C01G21/00 , C01G25/006 , C01P2002/34 , C01P2006/40 , C04B35/491 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3296 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , H01L41/0973 , H01L41/187
摘要： 在包括设置于基板1上的第一电极2、设置于此第一电极2上的压电体3和设置于此压电体3上的第二电极4的压电元件中，使上述压电体3具有用通式ABO3表示的该A点的主要成分是Pb且B点的主要成分是Zr、Ti和Pb的钙钛矿型结晶构造，在上述B点，Pb原子占全部原子的比例在3％以上30％以下。即，使压电体3在Pb过剩的同时，将此过剩的Pb原子在成膜时活化，以Pb4+的形式导入到B点中。
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公开(公告)号：CN100411214C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410104967.0
申请日：2004-12-15
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L41/08
CPC分类号： H01L41/0933 , B25J7/00 , B25J15/12 , G02B6/3512 , G02B6/352 , G02B6/3578 , G02B6/359 , G02B26/0825 , G02B26/0858 , H01L41/094 , H01L41/0986
摘要： 本发明实现一种压电体薄膜装置，包括：由第一电极、第二电极、以及夹在第一电极和第二电极之间且在膜厚方向具有极化矢量并且若通过第一电极和第二电极施加规定值以上的电压则极化矢量颠倒的压电体薄膜构成的压电体薄膜元件；供给使极化矢量颠倒的电压的电源电路；对由所述电源电路向所述压电体薄膜装置供给的电压进行控制，为了使所述极化矢量颠倒而增加所述电压到所述抗电压以上的控制电路，压电体薄膜根据极化矢量的方向具有不同的晶格常数，压电体薄膜元件即使在不外加电压的状态下，也保持与极化矢量的方向对应的不同的变位位置。
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