公开(公告)号：CN100347872C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN01813370.3

申请日：2001-07-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神野伊策 ,  原慎太郎 ,  中野貴德

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01L41/1876 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/316

Abstract: 通过控制形成压电薄膜时施加的压力并提供具有钙化钛结构的压电薄膜，可以产生一个具有改进的和稳定的特性的压电薄膜。一个薄膜压电元件，其中衬底上形成一个下电极、上述下电极上形成含铅的压电薄膜、上电极又被摆放在上述压电薄膜上。该压电薄膜的特征在于它是一个具有钙钛矿结构的电介质，该结构的主要成份是铅、锆、和钛，该压电薄膜的构成范围是在总的压电薄膜成分中，其表层部分的Zr/(Zr+Ti)的组成比率不小于衬底界面部分的10%，且表层部分的Zr/(Zr+Ti)的组成比率等于或大于0.53，所述压电薄膜具有四边形晶体结构，其中c轴比a轴长。

公开(公告)号：CN1444777A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN01813370.3

申请日：2001-07-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神野伊策 ,  原慎太郎 ,  中野贵德

IPC: H01L41/08

CPC classification number: H01L41/1876 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/316

Abstract: 通过控制形成压电薄膜时施加的压力并提供具有钙化钛结构的压电薄膜，可以产生一个具有改进的和稳定的特性的压电薄膜。一个薄膜压电元件，其中衬底上形成一个下电极、上述下电极上形成含铅的压电薄膜、上电极又被摆放在上述压电薄膜上。该压电薄膜的特征在于它是一个具有钙钛矿结构的电介质，该结构的主要成份是铅、锆、和钛，它的构成范围是总的压电薄膜的Zr/(Zr+Ti)的组成比率不小于0.53，它是一个四边形晶体结构，其中c轴比a轴长。

公开(公告)号：CN1514808A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN03800336.8

申请日：2003-02-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神野伊策 ,  松永利之 ,  鎌田健 ,  原慎太郎

IPC: C01G25/00 ,  C04B35/49 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  H01L41/18 ,  H01L41/09 ,  H01L41/24

CPC classification number: C23C14/088 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  C01G21/00 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/187

Abstract: 在包括设置于基板1上的第一电极2、设置于此第一电极2上的压电体3和设置于此压电体3上的第二电极4的压电元件中，使上述压电体3具有用通式ABO3表示的该A点的主要成分是Pb且B点的主要成分是Zr、Ti和Pb的钙钛矿型结晶构造，在上述B点，Pb原子占全部原子的比例在3％以上30％以下。即，使压电体3在Pb过剩的同时，将此过剩的Pb原子在成膜时活化，以Pb4+的形式导入到B点中。

公开(公告)号：CN1514808B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN03800336.8

申请日：2003-02-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神野伊策 ,  松永利之 ,  鎌田健 ,  原慎太郎

IPC: H01L41/187

CPC classification number: C23C14/088 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  C01G21/00 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/187

Abstract: 在包括设置于基板1上的第一电极2、设置于此第一电极2上的压电体3和设置于此压电体3上的第二电极4的压电元件中，使上述压电体3具有用通式ABO3表示的该A点的主要成分是Pb且B点的主要成分是Zr、Ti和Pb的钙钛矿型结晶构造，在上述B点，Pb原子占全部原子的比例在3％以上30％以下。即，使压电体3在Pb过剩的同时，将此过剩的Pb原子在成膜时活化，以Pb4+的形式导入到B点中。