公开(公告)号：CN85104646A

公开(公告)日：1986-06-10

申请号：CN85104646

申请日：1985-06-15

申请人： 能源转换装置公司

发明人： 罗萨·扬 ,  尤金妮亚·米蒂利尼尔

IPC分类号： G11B7/24

CPC分类号： G11B7/257 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/243 ,  G11B9/00 ,  G11B11/00 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715

摘要： 所发明的是一种可用投射束进行变换的数据存储器件，它包含状态可变的存储材料，该存储材料是一个多相系统，该系统包含有大体上连续的介电陶瓷相，和以断续晶粒形态存在的状态可变相。

公开(公告)号：CN101872627A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010113952.6

申请日：2000-03-10

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC分类号： G11B7/24

CPC分类号： G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN1294030C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN00807627.8

申请日：2000-03-10

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC分类号： B41M5/26 ,  G11B7/24

CPC分类号： G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN1636138A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN02827511.X

申请日：2002-11-27

申请人： 长冈实业株式会社 ,  伯斯坦技术公司

发明人： 詹姆斯·霍华德·科姆斯 ,  布里吉特·乔·范 ,  拉蒙西托·马格潘塔伊·瓦伦西亚

IPC分类号： G01N33/533

CPC分类号： B03C1/00 ,  C12M1/00 ,  C12M1/34 ,  C12M3/00 ,  C12N5/06 ,  C12N13/00 ,  C12N15/00 ,  C12Q1/04 ,  C12Q1/06 ,  G01N1/00 ,  G01N1/28 ,  G01N21/01 ,  G01N33/53 ,  G01N33/533 ,  G01N33/543 ,  G01N37/00 ,  G11B11/00 ,  G11B13/04

摘要： 本发明一般涉及分子和细胞生物磁性测定，尤其是涉及在磁性光学生物盘上进行的分子和细胞生物磁性测定。本发明还涉及包括磁性光学生物盘和MO驱动器的磁性光学生物盘系统。更具体地说，但不局限于此后参照最佳实施方式所描述的具体实施例，本发明涉及利用磁性颗粒或珠，检测和选择性操纵细胞群及细胞群溶液中的特异性靶细胞的生物磁性方法，包括免疫磁性方法，并且还涉及磁性引导的神经突生长、神经再生和利用MOBDS磁性形成的神经网络。

公开(公告)号：CN1490805A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03137984.2

申请日：2003-05-30

申请人： 惠普开发有限公司

发明人： G·A·吉布森 ,  K·瑙卡 ,  C·-C·杨

IPC分类号： G11B9/10 ,  G11B7/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/10 ,  G11B9/14 ,  G11B9/149 ,  G11B11/00 ,  G11B2005/0021

摘要： 一种依靠光信号的超高密度数据存储装置。所述装置包括在受到电子束激励时能发光的发光层(210)。所述装置还包括含有数据位的相变层(230)，在光到达检测器(220)之前它可吸收或反射所述激励的光。此外，一种数据存储和检索方法，所述方法包括：在相变层(230)写入数据位；激励发光层(210)的发射；以及监测到达检测器(220)的光量而读出数据位(140、150)。

公开(公告)号：CN1350489A

公开(公告)日：2002-05-22

申请号：CN00807627.8

申请日：2000-03-10

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC分类号： B41M5/26 ,  G11B7/24 ,  G11B7/26 ,  G11B9/04

CPC分类号： G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

摘要： 一种信息记录媒体,在基板上设有记录材料层,利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移,形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中,含有晶格缺陷的结晶结构的材料,或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料,而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体,由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小,耐候性好,抗组成变动强,而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN1967688B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200610160332.1

申请日：2000-03-10

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC分类号： G11B13/00 ,  G11B7/242

CPC分类号： G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN1664941A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510056039.6

申请日：2000-03-10

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC分类号： G11B7/24 ,  G11B7/26 ,  B41M5/26

CPC分类号： G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。

公开(公告)号：CN1622205A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410095377.6

申请日：2004-11-24

申请人： 惠普开发有限公司

发明人： H·李 ,  S·X·-A·张

IPC分类号： G11B7/00 ,  G11B11/00 ,  G11C11/42

CPC分类号： G11B11/00 ,  G11B7/0033 ,  G11B7/00455 ,  G11B7/24

摘要： 一种用于采用光学状态变化的有机聚合物膜(502－514)作为由该方法制造的光电子高密度存储器和高密度光电子存储器中的信息存储层(814)。在一些实施例中，可以制造光学状态变化有机聚合物膜以展示出通过施加电场可以被局部、稳定并可逆地诱发的展示出两种不同的稳定光学状态(图3－4)，一种为透明，另一种为光吸收和/或光反射。在各实施例中，信息被数字编码在信息存储层(804)中作为位，由相应于该位的信息存储层的区域(802)的光学状态表示每一位的值。在各实施例中，可以通过将小区域暴露于可见光并确定信息存储层下面的信息存储介质中的光电二极管层是否响应于照明产生电流，来确定信息存储层的小区域的光学状态。

公开(公告)号：CN101872627B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201010113952.6

申请日：2000-03-10

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 山田升 ,  児岛理惠 ,  松永利之 ,  河原克巳

IPC分类号： G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/26 ,  G11B9/00 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11B13/00 ,  G03G5/02 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2433 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/26 ,  G11B7/266 ,  G11B9/00 ,  G11B9/04 ,  G11B9/08 ,  G11B11/00 ,  G11B11/08 ,  G11B11/12 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/24322 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25713 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  G11C2029/0403 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683 ,  Y10T428/21

摘要： 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。