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公开(公告)号：CN113661654B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202080027301.7
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制高阶模的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承基板(4)，是硅基板，且面取向为Si(111)；压电体层(7)，使用了旋转Y切割X传播的钽酸锂；以及IDT电极(3)。若将由IDT电极(3)的电极指间距规定的波长设为λ，则压电体层(7)的膜厚为1λ以下。压电体层(7)具有由极化方向决定的正面以及负面。将钽酸锂的晶轴(XLT，YLT，ZLT)的ZLT轴投影到支承基板(4)的(111)面的方向向量k111和硅的[11‑2]方向的角度设为α111，将n设为任意的整数，此时，在IDT电极(3)被设置在压电体层(7)的正面上的情况下，角度α111在0°+120°×n≤α111≤45°+120°×n的范围内，或者在75°+120°×n≤α111≤120°+120°×n的范围内，在压电体层(7)的负面上设置有IDT电极(3)的情况下，角度α111在15°+120°×n≤α111≤105°+120°×n的范围内。
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公开(公告)号：CN117203894A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202280031220.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够抑制插入损耗的增大并且能够改善IMD的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承基板(3)；中间层(4)，设置在支承基板(3)上；压电体层(9)，设置在中间层(4)上；接合层(7)，设置在支承基板(3)与压电体层(9)之间；低电阻率层(8)，设置在支承基板(3)与压电体层(9)之间；和IDT电极(13)，设置在压电体层(9)上，具有1对汇流条和多个第1电极指(18)以及多个第2电极指(19)。低电阻率层(8)设置在比接合层(7)靠压电体层(9)侧，并且低电阻率层(8)以Al为主成分。
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公开(公告)号：CN116868508A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015427.1
申请日：2022-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够抑制电特性的变动并且能够抑制高阶模的弹性波装置。本发明的弹性波装置具备：支承构件，包含支承基板(3)；压电体层(6)，设置在支承构件上，具有相互对置的第1主面(6a)和第2主面(6b)；第1IDT电极(7A)，设置在第1主面(6a)，具有多个电极指；以及第2IDT电极(7B)，设置在第2主面(6b)，具有多个电极指。第2IDT电极(7B)埋入于支承构件。在压电体层(6)的第1主面(6a)设置有电介质膜(29)，使得覆盖第1IDT电极(7A)。在将由第1IDT电极(7A)的电极指间距规定的波长设为λ时，电介质膜(29)的厚度为0.15λ以下。
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公开(公告)号：CN111602337B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880086018.4
申请日：2018-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明在抑制通带的特性劣化的同时，减小在比通带靠高频侧产生的高次模式的由温度引起的变化。在弹性波装置(1)中，与第一端子(101)电气上最接近的天线端谐振器是第一弹性波谐振器(3A)。分别在第一弹性波谐振器(3A)及第二弹性波谐振器(3B)中，在将弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。第一弹性波谐振器(3A)和第二弹性波谐振器(3B)满足第一条件、第二条件以及第三条件中的至少一个。第一条件为，第一弹性波谐振器(3A)还包括设置在压电体层与IDT电极之间的电介质膜，第二弹性波谐振器(3B)不包括电介质膜。
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公开(公告)号：CN111434037B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201880077856.5
申请日：2018-11-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制杂散模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)，由硅构成；压电体层(5)，直接地或间接地设置在支承基板(2)上；以及IDT电极(6)，设置在压电体层(5)上。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，压电体层(5)的厚度为1λ以下。在压电体层(5)传播的体波的纵波分量的声速即VL相对于下述的式(1)的声速VSi‑1满足下述的式(2)的关系。VSi‑1＝(V2)1/2(m/秒)...式(1)VSi‑1≤VL...式(2)式(1)中的V2是下述的式(3)的解。Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(3)。
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公开(公告)号：CN110999078B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201880051686.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种多工器，具备一端被公共连接的、从通带的频率低的一方起依次设为弹性波滤波器1、2、…、N的N个弹性波滤波器，其中，除通带的频率最高的弹性波滤波器以外的至少一个弹性波滤波器n包含一个以上的弹性波谐振器，具有：氮化硅膜，层叠在支承基板上；氧化硅膜，层叠在氮化硅膜上；压电体，层叠在氧化硅膜上，由钽酸锂构成；以及IDT电极，设置在压电体上。在弹性波谐振器t中，第一～第三高阶模的频率fhs_t(n)(s＝1、2、3)中的至少一个和具有频率比弹性波滤波器n的通带的频率高的通带的全部的弹性波滤波器m(n＜m≤N)满足下述的式子中的任一个：fhl_t(n)＞fu(m)fhl_t(n)＜fl(m)。
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公开(公告)号：CN110383683B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201880016604.1
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种不易产生其他带通型滤波器中的由高阶模式引起的纹波的多工器。具备一端被公共连接的通带不同的N个(其中，N为2以上的整数)弹性波滤波器。至少一个弹性波滤波器(3)具有由欧拉角(的范围内，θLT，ψLT＝0°±15°的范围内)的钽酸锂构成的压电体(14)、支承基板(12)、和IDT电极(15)。在多个弹性波谐振器之中的至少一个弹性波谐振器中，第一高阶模式的频率fh1_t(n)，在通带比至少一个弹性波滤波器(n)高的所有的弹性波滤波器(m)(n＜m≤N)中，满足下述的式(3)或下述的式(4)。fh1_t(n)＞fu(m)式(3)fh1_t(n)＜fl(m)式(4)
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公开(公告)号：CN110402539B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880016922.8
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种在其他弹性波滤波器中不易产生高阶模式所引起的纹波的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)以及由钽酸锂构成的压电体(4)以及IDT电极(5)，关于由钽酸锂构成的压电体的波长标准化膜厚TLT、欧拉角的θLT、氧化硅膜(3)的波长标准化膜厚TS、换算为铝的厚度的IDT电极(5)的波长标准化膜厚TE、支承基板(2)的传播取向ψSi、支承基板(2)的波长标准化膜厚TSi的值，设定TLT、θLT、TS、TE、ψSi，使得关于第1、第2以及第3高阶模式的响应之中的至少一个响应由下述的式(1)表示的与高阶模式的响应的强度对应的Ih大于‑2.4，且TSi＞20。[数学式1]
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公开(公告)号：CN112655150A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980058308.2
申请日：2019-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种不易产生其它带通型滤波器的通带中的纹波的弹性波装置。弹性波装置具备一端被公共连接的、通带不同的N个(其中，N为2以上的整数)带通型滤波器，其中，至少一个带通型滤波器具有多个弹性波谐振器，所述多个弹性波谐振器具有欧拉角为(的范围内，θLT，ψLT＝0°±15°的范围内)的钽酸锂膜(14)、硅支承基板(12)、层叠在钽酸锂膜(14)与硅支承基板(12)之间的氧化硅膜(13)、IDT电极(15)、以及保护膜(18)，在所述多个弹性波谐振器中的至少一个弹性波谐振器中，频率fh1_t(n)对于m＞n的全部的m满足下述的式(3)或下述的式(4)。式(3)：fh1_t(n)＞fu(m)。式(4)：fh1_t(n)＜fl(m)。其中在式(3)以及式(4)中，fu(m)以及fl(m)表示m个带通型滤波器中的通带的高频侧端部以及低频侧端部的频率。
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公开(公告)号：CN107112975B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201580059165.9
申请日：2015-10-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种能够在不导致制造工序的复杂化以及成本的上升的情况下有效地抑制横模波动的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，其中，在高音速件上层叠有低音速膜、压电膜以及IDT电极，在IDT电极(3)中，在第1、第2电极指(13、14)中的至少一方中，与长度方向中央相比宽度方向尺寸被设得较大的宽宽度部(13a～13d、14a～14d)设置在与中央区域相比更靠近基端侧以及前端侧中的至少一侧，第1以及第2汇流条(11、12)中的至少一方具有沿着汇流条长度方向分散配置的多个开口部(15)，第1以及第2汇流条(11、12)中的至少一方具有：内侧汇流条部(11A)，位于与开口部(15)相比更靠近第1或者第2电极指(13、14)侧，且在第1以及第2汇流条(11、12)的长度方向上延伸；中央汇流条部(11B)，设置有开口部(15)；以及外侧汇流条部(11C)。
