防冷凝玻璃窗
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104159862B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201380012905.4

    申请日:2013-03-01

    发明人: D.拉明 S.鲁瓦

    IPC分类号: C03C17/34

    摘要: 本发明涉及包含玻璃基底(1)的玻璃窗单元,所述玻璃基底(1)在其一面——意欲在使用位置中构成所述玻璃窗单元的面1——上装有薄膜多层,所述薄膜多层从所述基底(1)起包含物理厚度e1在50至200纳米范围内的基于铟锡氧化物的透明导电氧化物膜(2)、具有物理厚度e2的氮化硅阻隔膜(3),随后是基于氧化硅的膜(4),以纳米为单位表示的所述厚度e1和e2使得0.11≤e2/e1≤0.18。

    使在玻璃基材上的层活化的方法

    公开(公告)号:CN106458722B

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201580033994.X

    申请日:2015-06-17

    发明人: D.拉明

    IPC分类号: C03C17/23 C03C17/36 C03C17/34

    摘要: 本发明涉及一种用于使由玻璃基材支承的层活化的方法,其包括多个所述玻璃基材的样品的堆叠体在腔室中的热处理,所述玻璃基材通过中间粉末进行分隔。待活化层可以是ITO层,或氧化钛层,或SiO2层,或银层。

    具有电可控光学和/或能量传输特性的电化学设备

    公开(公告)号:CN103339560A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201180066920.8

    申请日:2011-12-05

    IPC分类号: G02F1/155

    摘要: 本发明涉及具有电可控光学和/或能量特性的电化学设备(1),其包括第一电极涂层(4)、第二电极涂层(12)和电化学活性介质(6,10),所述电化学活性介质(6,10)通过向第一电极涂层(4)和向第二电极涂层(12)供应电功率能够在不同光学传输的第一状态和第二状态之间可逆地转换,电极涂层的材料基于金属氧化物,其具有等于或大于60%、优选地等于或大于80%的光传输系数D65,并且具有自由载流子浓度,使得材料具有满足(λ-Δλ/2)≥1.8μm的吸收光谱,其中λ是所述材料的等离子体波长并且Δλ是吸收光谱在等离子体波长处的半最大值全宽度。

    具有电可控光学和/或能量传输特性的电化学设备

    公开(公告)号:CN103339558A

    公开(公告)日:2013-10-02

    申请号:CN201180066921.2

    申请日:2011-12-05

    IPC分类号: G02F1/15

    摘要: 本发明涉及具有电可控光学和/或能量传输特性的电化学设备(1),是如下类型:包括两个电极涂层(4,6)和在他们之间包括由无机材料所制成的电化学活性层(6),所述无机材料通过离子的嵌入和脱嵌能够在具有不同的光学和/或能量传输特性的两个状态之间可逆地转换。电解质(8)存在于电化学活性层和第二电极涂层之间。电化学活性层的材料是如下材料,在两个状态之间的转换期间所述材料的离子的嵌入和脱嵌对应于材料的等离子体波长λ的改变并且其中所述材料在等离子体波长λ处具有吸收光谱的半最大值全宽度Δλ,其在两个状态等于或小于1微米。

    使在玻璃基材上的层活化的方法

    公开(公告)号:CN106458722A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201580033994.X

    申请日:2015-06-17

    发明人: D.拉明

    IPC分类号: C03C17/23 C03C17/36 C03C17/34

    摘要: 本发明涉及一种用于使由玻璃基材支承的层活化的方法,其包括多个所述玻璃基材的样品的堆叠体在腔室中的热处理,所述玻璃基材通过中间粉末进行分隔。待活化层可以是ITO层,或氧化钛层,或SiO2层,或银层。

    防冷凝玻璃窗
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104159862A

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201380012905.4

    申请日:2013-03-01

    发明人: D.拉明 S.鲁瓦

    IPC分类号: C03C17/34

    摘要: 本发明涉及包含玻璃基底(1)的玻璃窗单元,所述玻璃基底(1)在其一面——意欲在使用位置中构成所述玻璃窗单元的面1——上装有薄膜多层,所述薄膜多层从所述基底(1)起包含物理厚度e1在50至200纳米范围内的基于铟锡氧化物的透明导电氧化物膜(2)、具有物理厚度e2的氮化硅阻隔膜(3),随后是基于氧化硅的膜(4),以纳米为单位表示的所述厚度e1和e2使得0.11≤e2/e1≤0.18。