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公开(公告)号：CN106062238A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011354.9
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C23C14/06 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H01L41/39 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/581 , C04B35/62218 , C04B2235/3865 , C04B2235/40 , C23C14/0042 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3435 , C23C14/3464 , G10K9/125 , H01L41/0805 , H01L41/081 , H01L41/0831 , H01L41/0973 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/588 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN106062238B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201580011354.9
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C23C14/06 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H01L41/39 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/581 , C04B35/62218 , C04B2235/3865 , C04B2235/40 , C23C14/0042 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3435 , C23C14/3464 , G10K9/125 , H01L41/0805 , H01L41/081 , H01L41/0831 , H01L41/0973 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/588 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN105765751B
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201480064741.4
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L41/187 , C23C14/34 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02
CPC classification number: H01L41/183 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C16/34 , H01L41/187 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02 , H04R2307/027
Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。
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公开(公告)号：CN105765751A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480064741.4
申请日：2014-11-20
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L41/187 , C23C14/34 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02
CPC classification number: H01L41/183 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C16/34 , H01L41/187 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/17 , H04R17/02 , H04R2307/027
Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。
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公开(公告)号：CN104321965B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380026199.9
申请日：2013-05-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 梅田圭一
IPC: H03H9/17 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供一种Q值高，并且能够抑制谐振频率以下的频率范围内的乱真的体波谐振器。体波谐振器(1)，在基板(2)上，按照具有被从基板(2)的上表面声分离的部分的方式，层叠含钪的氮化铝膜(3)，在含钪的氮化铝膜(3)的一面形成第1电极(4)，在另一面形成第2电极(5)，相对于第1电极(4)，第2电极(5)隔着含钪的氮化铝膜(3)而重合，从而构成压电振动部，在将含钪的氮化铝膜(3)中的Sc与Al的合计设为100原子％时，钪含有浓度处于5原子％以上、43原子％以下的范围。
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公开(公告)号：CN112740550B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980061641.9
申请日：2019-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 提供能够减少保持部的绝缘膜所带电的电荷给予谐振频率的影响的谐振装置。谐振装置(1)具备：谐振子(10)，包括振动部(120)和保持部(140)，上述保持部(140)配置于振动部(120)四周的至少局部且包括将振动部(120)保持为能够振动的保持体和形成在该保持体上的绝缘膜(235)；和下盖(20)，其包括形成振动部(120)的振动空间的至少局部的凹部(21)，绝缘膜235的内侧面相对于规定凹部(21)的侧壁(23)的内表面(23a)隔开第1距离D1配置。
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公开(公告)号：CN105874710B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201580003668.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明涉及压电振子以及压电振动装置。在压电振子中，使静电电容比较大，并且，抑制杂散电容的影响。压电振子(120A)是具有彼此以相反相位振动的第一以及第二振动部的压电振子(120A)，第一以及第二振动部的每个具备硅层(220)、配设在硅层(220)之上的第一压电层(224)、配设在第一压电层(224)之上的第一电极(222)、配设在第一电极(222)之上且具有与第一压电层(224)相反方向的极化的第二压电层(225)、以及配设在第二压电层(225)之上的第二电极(223)，构成为对第一振动部的第一电极(222)和第二振动部的第二电极(223)施加第一电位，并对第一振动部的第二电极(223)和第二振动部的第一电极(222)施加第二电位。
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公开(公告)号：CN105210294B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480026840.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/083 , H03H9/02448 , H03H9/0595 , H03H9/2452 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(‑0.0003x2‑0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN105874710A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201580003668.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H03H9/02244 , H03H9/0595 , H03H9/125 , H03H9/2489 , H03H2009/155
Abstract: 本发明涉及压电振子以及压电振动装置。在压电振子中，使静电电容比较大，并且，抑制杂散电容的影响。压电振子(120A)是具有彼此以相反相位振动的第一以及第二振动部的压电振子(120A)，第一以及第二振动部的每个具备硅层(220)、配设在硅层(220)之上的第一压电层(224)、配设在第一压电层(224)之上的第一电极(222)、配设在第一电极(222)之上且具有与第一压电层(224)相反方向的极化的第二压电层(225)、以及配设在第二压电层(225)之上的第二电极(223)，构成为对第一振动部的第一电极(222)和第二振动部的第二电极(223)施加第一电位，并对第一振动部的第二电极(223)和第二振动部的第一电极(222)施加第二电位。
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