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公开(公告)号：CN115398803A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202080099752.1
申请日：2020-11-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及谐振装置。本发明提供一种谐振装置，具备：下盖，具有凹部；和谐振器，该谐振器搭载于下盖，并具有振动臂和保持部，振动臂能够在包含凹部在内的空间进行面外弯曲振动，保持部设置在振动臂的周围且具有与振动臂的末端部对置的对置部分，保持部的对置部分位于比直线靠谐振器的外侧，该直线将从振动臂的末端部朝向下盖的凹部延伸的垂线与下盖的凹部的交点、和振动臂的末端部侧的凹部的开口边缘连结。
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公开(公告)号：CN105210294B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480026840.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/083 , H03H9/02448 , H03H9/0595 , H03H9/2452 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(‑0.0003x2‑0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN117730482A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280050680.0
申请日：2022-03-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明缓和由于冲击在谐振子产生的应力。谐振装置具备：谐振子(10)，包括基部(130)、多个振动臂(121A～121D)以及保持部(140)，上述多个振动臂分别具有与基部连接的固定端侧的臂部(123A～123D)和形成于开放端侧的锤部(122A～122D)，并且上述多个振动臂相互并列延伸且以面外弯曲振动模式为主振动进行振动，上述保持部配置于多个振动臂(121A～121D)的周围的至少一部分，构成为保持基部(130)；下盖；上盖，在与下盖之间形成谐振子(10)的振动空间；以及突出部(50)，从下盖或者上盖的内面向振动空间突出，保持部(140)具有突起(146a、146b)，在俯视时，上述突起形成于与多个振动臂(121A～121D)中的至少一个振动臂的锤部(122A～122D)对置的位置。
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公开(公告)号：CN114731148A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080530.5
申请日：2020-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明提供一种谐振装置(1)，具备下盖(20)、与下盖(20)接合的上盖、以及具有能够在被设置在下盖(20)与上盖(30)之间的内部空间弯曲振动的振动臂(121A～121D)的谐振子(10)，振动臂(121A～121D)具有在与上盖(30)对置的一侧设置有金属膜(125A～125D)的前端部(122A～122D)，振动臂(121A～121D)的前端部(122A～122D)与上盖(30)之间的间隙(G2)大于振动臂(121A～121D)的前端部(122A～122D)与下盖(20)之间的间隙(G1)。
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公开(公告)号：CN105379115B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201480026919.6
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21
Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105210294A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026840.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/083 , H03H9/02448 , H03H9/0595 , H03H9/2452 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(-0.0003x2-0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN105556840B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480051082.0
申请日：2014-09-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供振动装置及其制造方法，能够抑制由于温度变化而产生的共振频率的偏差。振动装置(1)具备：支承部(2)；与上述支承部(2)连接，且具有作为简并半导体的n型Si层(11)的振动臂(3a、3b、3c)；以及被设置为使上述振动臂(3a、3b、3c)激振的电极(16、17)，以与上述n型Si层(11)的下表面接触的方式设置含有杂质的硅氧化膜(12、13)。
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公开(公告)号：CN108141196A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057976.X
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H3/0072 , H03H3/007 , H03H3/04 , H03H9/0561 , H03H9/24 , H03H2003/0435
Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。
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公开(公告)号：CN105379115A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480026919.6
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21
Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。
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公开(公告)号：CN117751522A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202280050511.7
申请日：2022-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 谐振装置(1)具备：第1基板(50)，其包括第1硅基板(P10)和谐振器(10)；第2基板(30)，其与第1基板(50)相向；以及框状的接合部(H)，其将第1基板(50)与第2基板(30)接合而使谐振器(10)的振动空间密封，谐振器(10)具有：单晶硅膜(F2)；以及由单晶硅膜(F2)和第1硅基板(P10)夹着的第1氧化硅膜(F21)，第1氧化硅膜(F21)被在俯视第1基板(50)时以包围谐振器(10)的振动部(110)的框状形成的第1阻隔构件(B11)分断，在第1基板(50)和第2基板(30)中第1基板(50)的谐振器(10)设置有贯通单晶硅膜(F2)和第1氧化硅膜(F21)的贯通孔，在贯通孔的内部设置有第1阻隔构件(B11)，第1阻隔构件(B11)的氦透过性比第1氧化硅膜(F21)低。
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