-
公开(公告)号：CN116034542A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180056420.X
申请日：2021-03-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明提供能够抑制经由保持部的噪声的传播的谐振装置、集合基板以及谐振装置的制造方法。谐振装置(1)具备：MEMS基板(50)，包含具有振动部(110)和构成为保持该振动部(110)的保持部(140)的谐振子(10)；以及上盖(30)，配置为与MEMS基板(50)对置且在中间夹着谐振子(10)，并包含与振动部(110)电连接的连接布线(CW1)，谐振子(10)还具有分离槽(145)，该分离槽形成为在俯视时包围振动部(110)。
-
公开(公告)号：CN114342067A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080059793.8
申请日：2020-04-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种封装结构及其制造方法。封装结构具备：一对基板(20、30)，相互对置地配置；接合部(H)，将元件(10)密封在由一对基板(20、30)包围的内部空间；吸附层(72)，设置于一对基板(20、30)中的至少一个基板(30)且位于内部空间，至少吸附氢；以及防扩散层(71)，设置于至少一个基板(30)与吸附层(72)之间，与至少一个基板(30)相比，氢不易扩散。
-
公开(公告)号：CN112335178A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980041750.4
申请日：2019-07-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明提供一种能够抑制构成连接部的共晶合金的一部分金属沿着连接布线扩散的MEMS设备。谐振装置(1)具备：MEMS基板(50)，包含谐振器(10)、和与谐振器(10)电连接的连接布线(75)；以及连接部(70)，与连接布线(75)电连接，由第一金属层(71)和设置于MEMS基板(50)侧的第二金属层(72)的共晶合金构成，在俯视MEMS基板(50)的主面时，连接布线(75)的线宽(WL)比连接部的宽度(WC)小。
-
公开(公告)号：CN108141196A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057976.X
申请日：2016-10-31
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H3/0072 , H03H3/007 , H03H3/04 , H03H9/0561 , H03H9/24 , H03H2003/0435
Abstract: 本发明提供谐振装置及其制造方法。在封装化了的谐振装置中，实施对谐振频率的调整。谐振装置具备：下盖，其由未简并的硅构成；谐振子，其具有由简并了的硅构成且具有与下盖对置的下表面的基板、层叠于该基板的第一电极层和第二电极层、形成于第一电极层和第二电极层之间且具有隔着第一电极层与基板的上表面对置的面的压电膜；以及上盖，其与下盖对置，在上盖与下盖之间隔着谐振子，基板的下表面具有调整部，该调整部是形成于表面的凹凸的深度或高度都比该基板的下表面中的其它区域大的区域，或者是凹凸所占的面积比该基板的下表面中的其它区域大的区域。
-
公开(公告)号：CN118451653A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202280081086.8
申请日：2022-07-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 振动部(110)具有：基板(50)的主面的俯视时的一部分的区域即第一部分(111)、以及基板(50)的主面的俯视时的其他区域即第二部分(112)，基板(50)的与主面交叉的厚度方向上的第二部分(112)的厚度比厚度方向上的第一部分(111)的厚度大，振动部(110)通过第一部分(111)以及第二部分(112)而使基板(50)中的与压电体层(F3)相反的一侧构成为凹状或者凸状。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112689957B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980060076.4
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能使接合部的气密性和接合强度提高的共振装置和共振装置的制造方法。共振装置1具备：包含共振子10的MEMS基板50，上盖30，以及接合MEMS基板50与上盖30以密封共振子10的振动空间的接合部60；接合部60包含以共晶合金为主成分的共晶层65，该共晶合金是以铝为主成分的第1金属、锗或硅的第2金属、以及钛或镍的第3金属的共晶合金。
-
公开(公告)号：CN117730482A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280050680.0
申请日：2022-03-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明缓和由于冲击在谐振子产生的应力。谐振装置具备：谐振子(10)，包括基部(130)、多个振动臂(121A～121D)以及保持部(140)，上述多个振动臂分别具有与基部连接的固定端侧的臂部(123A～123D)和形成于开放端侧的锤部(122A～122D)，并且上述多个振动臂相互并列延伸且以面外弯曲振动模式为主振动进行振动，上述保持部配置于多个振动臂(121A～121D)的周围的至少一部分，构成为保持基部(130)；下盖；上盖，在与下盖之间形成谐振子(10)的振动空间；以及突出部(50)，从下盖或者上盖的内面向振动空间突出，保持部(140)具有突起(146a、146b)，在俯视时，上述突起形成于与多个振动臂(121A～121D)中的至少一个振动臂的锤部(122A～122D)对置的位置。
-
公开(公告)号：CN116601870A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180082745.5
申请日：2021-07-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明提供一种谐振子以及谐振装置，在使DLD改善的同时，抑制谐振频率的调整速率的降低。谐振子(10)具备：振动部(110)，包含多个振动臂(121A～121D)和基部(130)，其中至少两个振动臂以不同的相位进行面外弯曲；保持部(140)，构成为保持振动部(110)；以及支承臂(151)，一端与保持部(140)连接，另一端与基部(130)的后端部(131B)连接，在俯视时，支承臂(151)的另一端连接在将基部(130)的后端部(131B)中的中心线(CL1)通过的位置作为基准时，相对于基部(130)的基部宽度WB从－0.1WB到0.1WB的范围的位置，支承臂(151)的支承臂长LS相对于振动臂(121A～121D)的振动臂长LA在0.2倍以上且在0.4倍以下。
-
公开(公告)号：CN111630775B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201880087430.8
申请日：2018-09-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够将谐振子的振动空间保持为高真空的谐振装置和谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备：MEMS基板(50)，其包括谐振子；上盖(30)；接合部(60)，其密封谐振子(10)的振动空间地将MEMS基板(50)与上盖(30)接合，接合部包括从MEMS基板(50)侧至上盖(30)侧连续设置的由锗与以铝为主成分的金属的共晶合金构成的共晶层(65)、第1钛层(63)、第1铝氧化膜(62)和第1导电层(61)。
-
公开(公告)号：CN114731148A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080530.5
申请日：2020-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明提供一种谐振装置(1)，具备下盖(20)、与下盖(20)接合的上盖、以及具有能够在被设置在下盖(20)与上盖(30)之间的内部空间弯曲振动的振动臂(121A～121D)的谐振子(10)，振动臂(121A～121D)具有在与上盖(30)对置的一侧设置有金属膜(125A～125D)的前端部(122A～122D)，振动臂(121A～121D)的前端部(122A～122D)与上盖(30)之间的间隙(G2)大于振动臂(121A～121D)的前端部(122A～122D)与下盖(20)之间的间隙(G1)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.023 seconds)
