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公开(公告)号：CN111630775A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880087430.8
申请日：2018-09-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够将谐振子的振动空间保持为高真空的谐振装置和谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备：MEMS基板(50)，其包括谐振子；上盖(30)；接合部(60)，其密封谐振子(10)的振动空间地将MEMS基板(50)与上盖(30)接合，接合部包括从MEMS基板(50)侧至上盖(30)侧连续设置的由锗与以铝为主成分的金属的共晶合金构成的共晶层(65)、第1钛层(63)、第1铝氧化膜(62)和第1导电层(61)。
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公开(公告)号：CN112689957B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980060076.4
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能使接合部的气密性和接合强度提高的共振装置和共振装置的制造方法。共振装置1具备：包含共振子10的MEMS基板50，上盖30，以及接合MEMS基板50与上盖30以密封共振子10的振动空间的接合部60；接合部60包含以共晶合金为主成分的共晶层65，该共晶合金是以铝为主成分的第1金属、锗或硅的第2金属、以及钛或镍的第3金属的共晶合金。
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公开(公告)号：CN111630775B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201880087430.8
申请日：2018-09-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够将谐振子的振动空间保持为高真空的谐振装置和谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备：MEMS基板(50)，其包括谐振子；上盖(30)；接合部(60)，其密封谐振子(10)的振动空间地将MEMS基板(50)与上盖(30)接合，接合部包括从MEMS基板(50)侧至上盖(30)侧连续设置的由锗与以铝为主成分的金属的共晶合金构成的共晶层(65)、第1钛层(63)、第1铝氧化膜(62)和第1导电层(61)。
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公开(公告)号：CN112689957A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201980060076.4
申请日：2019-05-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能使接合部的气密性和接合强度提高的共振装置和共振装置的制造方法。共振装置1具备：包含共振子10的MEMS基板50，上盖30，以及接合MEMS基板50与上盖30以密封共振子10的振动空间的接合部60；接合部60包含以共晶合金为主成分的共晶层65，该共晶合金是以铝为主成分的第1金属、锗或硅的第2金属、以及钛或镍的第3金属的共晶合金。
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