公开(公告)号：CN106062238A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011354.9

申请日：2015-03-02

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 梅田圭一 ,  秋山守人 ,  长濑智美 ,  西久保桂子 ,  本多淳史

IPC: C23C14/06 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/27 ,  H01L41/316 ,  H01L41/39 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01L41/18 ,  C04B35/581 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/40 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/3464 ,  G10K9/125 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/081 ,  H01L41/0831 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/187 ,  H01L41/27 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/588 ,  H03H2003/023

Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。

公开(公告)号：CN106062238B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201580011354.9

申请日：2015-03-02

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 梅田圭一 ,  秋山守人 ,  长濑智美 ,  西久保桂子 ,  本多淳史

IPC: C23C14/06 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/27 ,  H01L41/316 ,  H01L41/39 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01L41/18 ,  C04B35/581 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/40 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/3464 ,  G10K9/125 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/081 ,  H01L41/0831 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/187 ,  H01L41/27 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/588 ,  H03H2003/023

Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。

公开(公告)号：CN105765751B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201480064741.4

申请日：2014-11-20

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 梅田圭一 ,  本多淳史 ,  秋山守人 ,  西久保桂子 ,  长濑智美

IPC: H01L41/187 ,  C23C14/34 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02

CPC classification number: H01L41/183 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C16/34 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02 ,  H04R2307/027

Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。

公开(公告)号：CN105765751A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064741.4

申请日：2014-11-20

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 梅田圭一 ,  本多淳史 ,  秋山守人 ,  西久保桂子 ,  长濑智美

IPC: H01L41/187 ,  C23C14/34 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02

CPC classification number: H01L41/183 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C16/34 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02 ,  H04R2307/027

Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。