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公开(公告)号：CN111418032A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201880076342.8
申请日：2018-12-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种耐热试验前后的电阻值变化比较小且可得到高B常数的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻为形成于基材(2)上的热敏电阻(1)，其具备：中间层叠部(7)，形成于基材上；及主金属氮化膜层(4)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成于中间层叠部上，中间层叠部具备：基底热敏电阻层(3)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成；及中间氧氮化层(3a)，形成于基底热敏电阻层上，主金属氮化膜层形成于中间氧氮化层上，中间氧氮化层是通过正下方的基底热敏电阻层的热敏电阻材料被氧化而形成的金属氧氮化层。
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公开(公告)号：CN111344819A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201980005678.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01C7/04 , H01C7/00 , H01C17/065
Abstract: 本发明提供一种使用金属制基材可以获得良好的热敏电阻膜且具有高的耐湿性和耐热性等的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻具备金属制基材(2)、形成于金属制基材上的绝缘性基底膜(3)、形成于绝缘性基底膜上的热敏电阻膜(4)，绝缘性基底膜通过填充金属制基材的表面的凹凸而形成，绝缘性基底膜的表面粗糙度小于金属制基材的表面粗糙度。制造该热敏电阻的方法具有如下工序：在金属制基材上涂布聚硅氮烷；使聚硅氮烷干燥并形成含有N的SiOx的绝缘性基底膜；及将热敏电阻膜成膜于绝缘性基底膜。
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公开(公告)号：CN105144309B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480020885.X
申请日：2014-05-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/14 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C1/14 , H01C7/006 , H01C7/04 , H01C17/12 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：VxAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用V‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜。
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公开(公告)号：CN104040647B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380004775.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/04 , H01C7/041
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：TixAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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公开(公告)号：CN104025211B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380004634.8
申请日：2013-02-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C30B25/06 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/023 , H01C7/04 , H01C7/043 , H01C17/12
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：TixAlyNz表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105247630A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031424.2
申请日：2014-08-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：Mx(Al1-wSiw)yNz表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，0.0＜w＜0.3、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-Al-Si合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种。
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公开(公告)号：CN105144310A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480021973.1
申请日：2014-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/04 , H01C17/12
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M1-vVv)xAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相，所述M为Ti、Cr中的一种或两种。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-V-Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，所述M为Ti、Cr中的一种或两种。
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公开(公告)号：CN105144309A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480020885.X
申请日：2014-05-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/14 , C30B29/38 , G01K7/22 , H01C1/14 , H01C7/006 , H01C7/04 , H01C17/12 , H01J37/3429
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：VxAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用V-Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜。
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公开(公告)号：CN102171774B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980138798.3
申请日：2009-07-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01C7/04
CPC classification number: H01C7/008 , C04B35/42 , C04B35/62685 , C04B37/021 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3267 , C04B2235/6021 , C04B2235/9623 , C04B2237/345 , C04B2237/408 , C04B2237/62 , C04B2237/84 , H01C7/04
Abstract: 一种热敏电阻元件的制造方法，所述热敏电阻元件包括热敏电阻用金属氧化物烧结体和连接到该热敏电阻用金属氧化物烧结体的多根导线，所述方法包括以下工序：将由金属氧化物形成的热敏电阻原料粉末、有机粘合剂粉末和溶剂混合并混炼以形成粘土；利用成型模具(13)进行所述粘土的挤出成型以形成具有多个贯通孔的杆状半成品成型体；使所述杆状半成品成型体干燥以形成杆状干燥成型体；将所述杆状干燥成型体切断为规定长度以形成具有贯通孔的切断成型体；和将导线插入到所述切断成型体的所述贯通孔中，并烧成该构造以将所述切断成型体形成为热敏电阻用金属氧化物烧结体。
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公开(公告)号：CN105264619B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201480031428.0
申请日：2014-08-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: G01K7/223 , H01C1/14 , H01C1/142 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/042 , H01C17/12
Abstract: 本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：Mx(Al1‑vSiv)y(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，0.0＜v＜0.3、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑Al‑Si合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种。
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