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公开(公告)号：CN104812927B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380061000.6
申请日：2013-12-03
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/041 , H01C7/042 , H01C17/12
摘要： 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(Ti1‑vCrv)xAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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公开(公告)号：CN103430246B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201180069275.5
申请日：2011-02-01
申请人： 慧与发展有限责任合伙企业
发明人： 杨建华 , 张民贤 , R·斯坦利·威廉姆斯
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 提供了关于负微分电阻(NDR)的设备和方法。NDR装置包括一对间隔开的电极和布置在其间的至少两种不同的材料。所述两种材料中的一种以负的热膨胀为特征，而另一种以正的热膨胀为特征。两种材料进一步以不同的电阻率为特征。所述NDR装置以包括负微分电阻范围的非线性电阻曲线为特征。所述NDR装置沿根据跨越所述一对电极而施加的电压的曲线运行。
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公开(公告)号：CN105732034A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610093845.9
申请日：2016-02-22
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/50 , C04B35/622 , H01C7/04
CPC分类号： C04B35/50 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3267 , H01C7/041 , H01C7/043
摘要： 本发明属于电阻材料技术领域，尤其涉及一种具有超低电阻率低B值NTC热敏电阻材料及其制备方法。该NTC热敏电阻材料化学组成满足通式：LaxSr1?xMnyO3，其中0.3≤x≤0.8，0.6≤y≤1.2，原料为La2O3、SrCO3和MnO2，室温电阻率为0.2～0.3Ω·cm，B值25/50的范围为230K～350K。本发明具有制备工艺简单，生产成本较低，适合工业化生产，制成超低电阻率低B值热敏电阻，满足在温度测量以及平缓的温度补偿中的应用。
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公开(公告)号：CN104798146A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380060819.0
申请日：2013-12-04
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： H01C7/008 , C23C14/0036 , C23C14/0042 , C23C14/0641 , C23C14/081 , C30B25/06 , C30B29/38 , C30B29/605 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/04 , H01C7/041
摘要： 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。该热敏电阻用金属氮化物材料为用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：CrxAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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公开(公告)号：CN104425089A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410427720.6
申请日：2014-08-27
申请人： 三菱综合材料株式会社
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： G01K7/226 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , H01C1/012 , H01C1/14 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/041
摘要： 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜在薄膜等上，且具有高耐热性且可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M1-vAv)xAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示选自Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，并且A表示选自Mn、Cu、Ni、Fe及Co中的至少一种且与所选的所述M不同的元素，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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公开(公告)号：CN103688320A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201380001059.6
申请日：2013-07-09
申请人： SEMITEC株式会社
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/041 , C22F1/14 , H01C7/04 , H01C17/075
摘要： 一种薄膜热敏电阻元件，其为具备Si基板2、形成于Si基板2上的热敏电阻薄膜5以及形成于热敏电阻薄膜5的膜上、膜下或膜中的由白金或其合金等形成的电极3的薄膜热敏电阻元件，其特征在于，电极3是在包含氧和氮的情况下成膜后进行热处理而结晶化来形成的。
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公开(公告)号：CN103430246A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201180069275.5
申请日：2011-02-01
发明人： 杨建华 , 张民贤 , R·斯坦利·威廉姆斯
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 本发明提供了关于负微分电阻(NDR)的设备和方法。NDR装置包括一对间隔开的电极和布置在其间的至少两种不同的材料。所述两种材料中的一种以负的热膨胀为特征，而另一种以正的热膨胀为特征。两种材料进一步以不同的电阻率为特征。所述NDR装置以包括负微分电阻范围的非线性电阻曲线为特征。所述NDR装置沿根据跨越所述一对电极而施加的电压的曲线运行。
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公开(公告)号：CN103295709A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310032660.3
申请日：2013-01-28
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , C04B35/01 , C04B35/265 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3277 , H01C7/041 , H01C7/043 , H01C7/18 , H01C17/06533
摘要： 本发明的课题是：即使是至少包含锰和钴的NTC热敏电阻用半导体陶瓷组合物，也能够或容易通过退火进行电阻调整。本发明是一种用于构成NTC热敏电阻(1)的部件主体(2)的半导体陶瓷组合物，其至少包含锰和钴作为主成分，为了能够通过退火进行电阻调整，还同时包含铝和钛这两种元素作为添加成分。为了能更容易地进行电阻调整，将主成分的含量设为100重量份时，钛的含量换算成TiO2较好是9.2重量份以下。
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公开(公告)号：CN101589644A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200780048331.0
申请日：2007-12-21
申请人： 2D热度有限公司
发明人： 杰弗里·博德曼
CPC分类号： H05B3/141 , H01C7/021 , H01C7/025 , H01C7/041 , H01C7/046 , H01C7/06 , H05B2203/019 , H05B2203/02 , Y10T29/49082
摘要： 本发明涉及自调节电阻加热元件、包括自调节电阻加热元件的装置及自调节电阻加热元件和包括自调节电阻加热元件的装置的制造方法。自调节电阻加热元件(10)包括基体(12)，基体(12)包括用作合成物金属氧化物层的一侧上的第一电触头(18)的电传导涂层(12a)。在上述电传导层(12a)上设置具有正的电阻温度系数的第一金属氧化物(14)。具有负的电阻温度系数并与第一金属氧化物层电串联的第二金属氧化物层(16)覆盖第一金属氧化物层，并且第二电触头(20)覆盖第二金属氧化物层(16)。以确保元件的电阻性特征不被改变的方式对元件设置具有负的电阻温度系数的第二金属氧化物层(16)。
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公开(公告)号：CN101116154A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680004097.7
申请日：2006-02-06
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： C04B35/016 , B32B2311/08 , C04B35/01 , C04B35/6262 , C04B35/6263 , C04B2235/3232 , C04B2235/3263 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/6025 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C04B2237/34 , C04B2237/408 , H01C1/148 , H01C7/041 , H01C7/043 , H01C7/045 , H01C7/18
摘要： 提供一种表面安装型负特性热敏电阻，不形成玻璃层而能防止电镀液侵蚀陶瓷体，并且陶瓷体强度高，具有良好的可靠性。这种表面安装型负特性热敏电阻(1)具有：至少包含Mn、Ni和Ti中的1种的半导体陶瓷材料组成的陶瓷体(4)、形成在所述陶瓷体(4)的表面的外部电极(5)、以及形成在所述外部电极(5)的表面的镀膜(6)，其中，将所述半导体陶瓷材料中包含的Mn的莫尔量表示为a、Ni的莫尔量表示为b时，Mn与Ni的莫尔比为55/45≤a/b≤90/10，而且将所述半导体陶瓷材料中Mn和Ni的总莫尔量取为100份莫尔时，含有的Ti在大于等于0.5份莫尔且小于等于25.0份莫尔的范围。
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