公开(公告)号：CN104254919B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201280071789.9

申请日：2012-04-25

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 杨建华 ,  民贤·马克斯·张 ,  马修·D·皮克特 ,  R·斯坦利·威廉姆斯

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608

Abstract: 非线性忆阻器，包括底电极、顶电极和在所述底电极和所述顶电极之间的绝缘体层。所述绝缘体层包括金属氧化物。所述非线性忆阻器进一步包括由所述底电极向所述顶电极延伸的在所述绝缘体层内的切换通道和在所述切换通道和所述顶电极之间的金属‑绝缘体‑过渡材料的纳米帽层。所述顶电极包括与所述金属‑绝缘体‑过渡材料中的金属相同的金属。

公开(公告)号：CN104303300B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201280072903.X

申请日：2012-07-31

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 汉斯·塞-扬·肖 ,  贾尼斯·H·尼克尔 ,  R·斯坦利·威廉姆斯 ,  鲁在星 ,  朴金元 ,  崔恩晶 ,  朱文石 ,  文智元 ,  李昌久 ,  孙英顺 ,  金正太

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1691

Abstract: 本公开的示例包括非易失性电阻存储单元及其制造方法。非易失性电阻存储单元的示例包括非易失性电阻存储单元的第一部分，其被形成为位于第一电极上的垂直延伸结构，这里该第一部分包括跨该垂直延伸结构的宽度的至少一种忆阻材料。非易失性电阻存储单元还包括非易失性电阻存储单元的第二部分，其被形成为位于该第一部分的至少一个侧壁上的垂直延伸的忆阻材料结构。

公开(公告)号：CN103430246B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201180069275.5

申请日：2011-02-01

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 杨建华 ,  张民贤 ,  R·斯坦利·威廉姆斯

IPC: H01C7/02

CPC classification number: H01C7/10 ,  H01C7/041 ,  H01C7/043 ,  H01L27/26 ,  H01L47/00

Abstract: 提供了关于负微分电阻(NDR)的设备和方法。NDR装置包括一对间隔开的电极和布置在其间的至少两种不同的材料。所述两种材料中的一种以负的热膨胀为特征，而另一种以正的热膨胀为特征。两种材料进一步以不同的电阻率为特征。所述NDR装置以包括负微分电阻范围的非线性电阻曲线为特征。所述NDR装置沿根据跨越所述一对电极而施加的电压的曲线运行。

公开(公告)号：CN103890857B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180074427.0

申请日：2011-10-27

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 马修·D·皮克特 ,  R·斯坦利·威廉姆斯 ,  吉尔贝托·M·里贝罗

IPC: G11C19/00 ,  G11C7/10

CPC classification number: G06F5/08 ,  G11C7/1012 ,  G11C7/1036 ,  G11C19/00 ,  G11C19/28 ,  G11C21/00

Abstract: 可移位的存储器采用环形寄存器来移位在该可移位的存储器内的环形寄存器中存储的数据字的连续子集。可移位的存储器包括具有内置字级移位能力的存储器。该存储器包括存储数据字的多个环形寄存器。数据字的连续子集是可在该存储器内在多个环形寄存器中的多组环形寄存器之间从第一位置向第二位置移位的。该数据字的连续子集具有小于该存储器的总大小的大小。当移位该连续子集时，该存储器仅移位在该连续子集内存储的数据字。