公开(公告)号：CN104303300B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201280072903.X

申请日：2012-07-31

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 汉斯·塞-扬·肖 ,  贾尼斯·H·尼克尔 ,  R·斯坦利·威廉姆斯 ,  鲁在星 ,  朴金元 ,  崔恩晶 ,  朱文石 ,  文智元 ,  李昌久 ,  孙英顺 ,  金正太

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1691

Abstract: 本公开的示例包括非易失性电阻存储单元及其制造方法。非易失性电阻存储单元的示例包括非易失性电阻存储单元的第一部分，其被形成为位于第一电极上的垂直延伸结构，这里该第一部分包括跨该垂直延伸结构的宽度的至少一种忆阻材料。非易失性电阻存储单元还包括非易失性电阻存储单元的第二部分，其被形成为位于该第一部分的至少一个侧壁上的垂直延伸的忆阻材料结构。