公开(公告)号：CN103098211B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201080068814.9

申请日：2010-08-30

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 贾尼斯·H·尼克尔 ,  吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗 ,  杨建华

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C5/063 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/02 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

Abstract: 一种多层交叉存储阵列包括多个层（514）。每个层（514）包括一组平行的顶部线，与一组平行的顶部线相交叉的一组平行的底部线，以及被布置在一组平行的顶部线和一组平行的底部线之间的交叉位置的存储元件（200、216）。来自层（514）之一的一组平行的顶部线是层（514）中相邻层的一组平行的底部线。

公开(公告)号：CN104303300B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201280072903.X

申请日：2012-07-31

Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业

Inventor： 汉斯·塞-扬·肖 ,  贾尼斯·H·尼克尔 ,  R·斯坦利·威廉姆斯 ,  鲁在星 ,  朴金元 ,  崔恩晶 ,  朱文石 ,  文智元 ,  李昌久 ,  孙英顺 ,  金正太

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1691

Abstract: 本公开的示例包括非易失性电阻存储单元及其制造方法。非易失性电阻存储单元的示例包括非易失性电阻存储单元的第一部分，其被形成为位于第一电极上的垂直延伸结构，这里该第一部分包括跨该垂直延伸结构的宽度的至少一种忆阻材料。非易失性电阻存储单元还包括非易失性电阻存储单元的第二部分，其被形成为位于该第一部分的至少一个侧壁上的垂直延伸的忆阻材料结构。