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公开(公告)号：CN109791879B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201780061273.9
申请日：2017-06-05
申请人： 住友电气工业株式会社
发明人： 堀勉
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： 本发明涉及一种碳化硅外延衬底，所述碳化硅外延衬底包含：碳化硅单晶衬底，所述碳化硅单晶衬底具有100mm以上的直径并且包括相对于{0001}面以大于0°且不大于8°的角度倾斜的主表面；碳化硅外延层，所述碳化硅外延层形成在所述主表面上并具有20μm以上的厚度；以及基面位错，所述基面位错包含在所述碳化硅外延层中并且具有连接到包含在所述碳化硅外延层中的螺纹螺旋位错的一端和存在于所述碳化硅外延层的表面中的另一端。所述基面位错在相对于{0001}基面中的 方向具有20°以上且80°以下的倾斜度的方向上延伸。所述基面位错的密度为0.05/cm2以下。
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公开(公告)号：CN112514077A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202080004078.4
申请日：2020-06-02
申请人： 住友电气工业株式会社
摘要： 碳化硅外延衬底具有碳化硅衬底、第一碳化硅外延层以及第二碳化硅外延层。碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相反一侧的第二主面。第一碳化硅外延层与整个第一主面接触。第二碳化硅外延层与整个第二主面接触。碳化硅衬底的载流子浓度高于第一碳化硅外延层及第二碳化硅外延层各自的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN111051581A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055130.1
申请日：2018-08-28
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/205
摘要： 本发明涉及一种碳化硅外延晶片，所述碳化硅外延晶片包含：4H多型的单晶碳化硅衬底，所述单晶碳化硅衬底具有相对于{0001}面以角度θ向 方向倾斜的主面；和形成在所述主面上的厚度为t的碳化硅外延层，其中所述单晶碳化硅衬底的直径大于或等于150mm，其中所述角度θ大于0°且小于或等于6°，其中在所述碳化硅外延层的表面中存在螺旋位错坑和距所述坑的距离为t/tanθ的对角线缺陷的一个以上的对，并且其中所述坑和所述对角线缺陷的对的密度小于或等于2对/cm2。
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公开(公告)号：CN105745364A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480061900.5
申请日：2014-10-14
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C30B29/36 , B24B27/06 , B28D5/04 , C30B33/00 , H01L21/304
CPC分类号： B28D5/045 , B24B27/0633 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/06
摘要： 提供了一种碳化硅锭(1)，其包括端表面(1a)和与端表面(1a)相反端表面(1b)。在碳化硅锭(1)中，端表面(1a)和端表面(1b)在生长方向上彼此面对，并且所述生长方向上的氮浓度梯度不小于1×1016cm?4且不大于1×1018cm?4。
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公开(公告)号：CN102869817A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201280001235.1
申请日：2012-02-15
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/187 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/7827
摘要： 第一单晶衬底（11）具有第一侧表面且由碳化硅构成。第二单晶衬底（12）具有与第一侧表面相对的第二侧表面且由碳化硅构成。接合部（BD），在第一和第二侧表面之间，使第一和第二侧表面彼此连接且由碳化硅构成。接合部的至少一部分具有多晶结构。因此，可以提供一种能够以高产量制造半导体器件的大尺寸碳化硅衬底。
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公开(公告)号：CN112335057B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980041859.8
申请日：2019-08-08
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , C23C16/30 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/161 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm‑4以下。在将第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm‑3、将第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1。
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公开(公告)号：CN112074928B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980030451.0
申请日：2019-03-15
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/36 , C30B33/02 , C30B33/08 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要： 一种碳化硅外延衬底包括碳化硅衬底、碳化硅外延膜和复合缺陷。复合缺陷包括扩展缺陷和基面位错。扩展缺陷包括从位于碳化硅衬底与碳化硅外延膜之间的边界处的起点起在 方向上延伸的第一区域和沿着 方向延伸的第二区域。第一区域在 方向上具有从起点起朝向第二区域增加的宽度。基面位错包括连续到起点并沿着 方向延伸的第三区域和沿着与 方向相交的方向延伸的第四区域。当主表面的面积是第一面积并且外接于复合缺陷的四边形的面积是第二面积时，通过将第二面积除以第一面积而获得的值不大于0.001。
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公开(公告)号：CN112335057A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980041859.8
申请日：2019-08-08
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , C23C16/30 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/161 , H01L29/861 , H01L29/868
摘要： 碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm‑4以下。在将第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm‑3、将第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1。
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公开(公告)号：CN109943885A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910145535.0
申请日：2015-12-17
申请人： 住友电气工业株式会社
摘要： 本发明涉及碳化硅单晶基板和碳化硅外延基板。一种碳化硅单晶基板，其中，所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，所述碳化硅单晶基板具有1×1017cm-3以下的氧浓度，所述碳化硅单晶基板具有2×104cm-2以下的位错密度，且所述碳化硅单晶基板具有2.0％以下的堆垛层错面积比率。一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。
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公开(公告)号：CN108463581A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680078826.7
申请日：2016-10-11
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/205
摘要： 一种碳化硅外延基板，其包括碳化硅单晶基板和碳化硅层。在平行于中心区域的方向上，所述碳化硅层的载流子浓度的标准偏差相对于所述碳化硅层的载流子浓度的平均值的比率小于5％。所述载流子浓度的平均值为1×1014cm-3以上且5×1016cm-3以下。在平行于中心区域的方向上，所述碳化硅层的厚度的标准偏差相对于所述碳化硅层的厚度的平均值的比率小于5％。所述中心区域具有1nm以下的算术平均粗糙度(Sa)。所述中心区域具有50以下的雾度。
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