公开(公告)号：CN112514077A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202080004078.4

申请日：2020-06-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 榎薗太郎 ,  堀勉 ,  西口太郞

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36

Abstract: 碳化硅外延衬底具有碳化硅衬底、第一碳化硅外延层以及第二碳化硅外延层。碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相反一侧的第二主面。第一碳化硅外延层与整个第一主面接触。第二碳化硅外延层与整个第二主面接触。碳化硅衬底的载流子浓度高于第一碳化硅外延层及第二碳化硅外延层各自的载流子浓度。

公开(公告)号：CN112514077B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202080004078.4

申请日：2020-06-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 榎薗太郎 ,  堀勉 ,  西口太郞

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36

Abstract: 碳化硅外延衬底具有碳化硅衬底、第一碳化硅外延层以及第二碳化硅外延层。碳化硅衬底具有第一主面和与第一主面相反一侧的第二主面。第一碳化硅外延层与整个第一主面接触。第二碳化硅外延层与整个第二主面接触。碳化硅衬底的载流子浓度高于第一碳化硅外延层及第二碳化硅外延层各自的载流子浓度。

公开(公告)号：CN116490646A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180067424.8

申请日：2021-07-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 樱田隆 ,  西口太郞 ,  近藤哲郎 ,  松本直树 ,  佐佐木信 ,  山本裕史

IPC: C30B33/00

Abstract: 碳化硅半导体装置的制造方法包括以下的工序。在包含碳化硅单晶基板和设置在碳化硅单晶基板上的碳化硅外延膜的碳化硅基板中，形成成为二维位置坐标的基准的基准标记。在形成基准标记之后，对碳化硅基板的基准标记形成面进行研磨和清洗中的至少任意一种。基于基准标记，确定碳化硅基板上的缺陷的位置坐标。在碳化硅基板上形成元件活性区域。基于基准标记，确定元件活性区域的位置坐标。将缺陷的位置坐标与元件活性区域的位置坐标建立关联，进行元件活性区域的优劣判定。