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公开(公告)号：CN101274419B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810086581.X
申请日：2005-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 松本直树
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , B24D3/00
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B7/228 , C30B29/406 , C30B33/00
Abstract: 在本发明的GaN基板的研磨方法中，包括：第1研磨工序，一边将包含第1研磨材与第1润滑剂的研磨液供应至第1平台上，一边利用所述第1平台及所述研磨液来研磨Ga面和N面在表面被配置成条状的GaN基板；第2研磨工序，在所述第1研磨工序后，一边将第2润滑剂供应至埋入有第2研磨材的第2平台上，一边利用埋入有所述第2研磨材的所述第2平台研磨所述GaN基板；表面加工工序，在所述第2研磨工序前，对所述第2平台进行切削加工以使得平坦度为10μm以下；加料工序，在所述表面加工工序后、所述第2研磨工序前，将用于形成所述第2研磨材的第3研磨材埋入所述第2平台。
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公开(公告)号：CN101335205B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200810144145.3
申请日：2005-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 松本直树
IPC: H01L21/304 , B28D5/04 , B28D1/06 , B24B27/06
CPC classification number: H01L21/02027 , B28D5/045 , C09G1/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/302 , H01L29/2003 , Y10T83/9292
Abstract: 本发明的目的在于提供一种第三族氮化物基板的制造方法，使用通过金属线(22)而构成的金属线列(21)切断结晶块(3)，该结晶块(3)包含六方晶系第三族氮化物结晶。此时，以将结晶块(3)及金属线(22)中至少一方在与金属线(22)延长方向B直交的方向上进行传送并且一边供给研磨液一边切断结晶块(3)的方式，切断结晶块(3)。切断结晶块(3)时，将金属线(22)的延长方向B相对于结晶块(3)的{1-100}面倾斜3°以上。
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公开(公告)号：CN101884094A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200980101212.6
申请日：2009-02-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02021 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L24/32 , H01L33/0075 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , Y10S438/928 , Y10S438/959 , Y10S438/977 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的加工方法，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削(倒角)、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量％的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。
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公开(公告)号：CN101661910A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910170653.3
申请日：2004-08-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/30612
Abstract: 本发明涉及氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件。当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工-变换层。为了除去加工-变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工-变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H 2 O 2 ，H 2 SO 4 +H 2 O 2 ，HCl+H 2 O 2 或HNO 3 的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN100424817C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410087907.2
申请日：2004-10-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 松本直树
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: C30B29/406 , C30B33/00
Abstract: 在通过使用气相沉积在基础杂衬底上生成GaN层，然后除去基础衬底而制备的独立GaN膜中，由于层与基础在热膨胀系数和晶格常数方面的差异，翘曲将会高达±40μm至±100μm。由于有此翘曲，通过光刻法制备器件是有挑战性的，将翘曲降低至+30μm至-20μm是本发明的目标。研磨凹向偏离的表面，以赋予其具有伸展作用的损坏层，使表面变成凸面。通过蚀刻除掉已成为凸面的表面上的损坏层，这降低了翘曲。备选地，研磨在已成为凸面的对侧表面上的凸表面，产生损坏层。由于因损坏层已变成为凸面的凹表面，适宜地蚀刻掉损坏层，使翘曲降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101274419A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810086581.X
申请日：2005-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 松本直树
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , B24D3/00
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B7/228 , C30B29/406 , C30B33/00
Abstract: 在本发明的GaN基板的研磨方法中，首先，一边将含研磨材(23)与润滑剂(25)的研磨液(27)供应至平台(101)，一边利用平台(101)与研磨液(27)研磨GaN基板(第1研磨工序)。其次，一边将润滑剂(31)供应至埋入研磨材(29)的平台(101)上，一边利用埋入研磨材(29)的平台(101)研磨GaN基板(第2研磨工序)。
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公开(公告)号：CN1908251A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610105961.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L33/0075
Abstract: 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。
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公开(公告)号：CN1875465A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200480031798.0
申请日：2004-08-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/30612
Abstract: 当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工－变换层。为了除去加工－变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工－变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H2O2，H2SO4+H2O2，HCl+H2O2或HNO3的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN1196176C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN99108644.9
申请日：1999-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , C30B25/02 , C30B29/406 , C30B29/60 , H01L21/02395 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0079 , Y10T428/26
Abstract: 提供一种面积大、弯曲小的独立的GaN单晶衬底，该衬底有20mm以上的直径和0.07mm以上的厚度，固有内部应力为7MPa以下，弯曲的曲率半径为600mm以上，直径为2英寸的衬底的中心处挠曲量为0.55mm以下，且衬底表面的法线方向和与衬底表面的平行度最高的低指数晶面的法线方向的夹角在衬底内为3°以下。
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公开(公告)号：CN1542992A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410044554.8
申请日：1998-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01S5/0206 , H01S5/34333 , H01S2304/00 , H01S2304/04 , Y10S117/902 , Y10S438/942
Abstract: 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底2上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8；和外延层生成工序，在屏蔽层8上，生长由GaN构成的外延层12。
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