公开(公告)号：CN105452765A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044776.1

申请日：2014-08-06

申请人： 住友电工印刷电路株式会社 ,  住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  赤羽良启 ,  齐藤裕久 ,  盐崎学

IPC分类号： F21V19/00 ,  F21S2/00 ,  F21V29/00 ,  H01L33/00 ,  F21Y115/10

CPC分类号： F21V19/002 ,  F21K9/232 ,  F21V29/70 ,  F21Y2107/40 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于提供能以低成本有效抑制正面侧发光强度变化的LED组件和LED发光装置。该LED组件设置有多个发光二极管。多个发光二极管仅布置在直圆锥体、直棱锥体、截角直圆锥体或截角直棱锥体的侧面上，所述侧面相对于底面具有55°-82°的倾斜角，多个发光二极管的发光表面与上述侧面大致平行并且相邻的发光二极管或发光二极管组的发光表面的垂直线投影在底面上而形成的投影线所形成的角度均彼此相等并为72°以下。优选的是，布置有发光二极管的侧面是直棱锥体或截角直棱锥体的侧面，一个或多个发光二极管布置在所述侧面上并且直棱锥体或截角直棱锥体的底面是5个以上侧边的多边形，该多边形形状的所有内角相等。

公开(公告)号：CN100440556C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610159295.2

申请日：2002-10-03

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

发明人： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

摘要： 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN100440435C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610159297.1

申请日：2002-10-03

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

发明人： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01S5/323 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

摘要： 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN101144182A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710138204.1

申请日：2007-07-31

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 弘田龙 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  冈久拓司 ,  上松康二

IPC分类号： C30B25/04 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/183

摘要： 根据本发明，一种生长氮化镓晶体的方法，包括步骤：在基底基板(U)上部分地形成掩膜(M)，其抑制晶体的外延生长；通过气相淀积，在上面形成了掩膜(M)的基底基板(U)上外延生长晶体，其中在外延生长晶体的步骤中，晶体是在第一生长条件下生长的，其中以μm/h为单位表述的生长速率Vj和以绝对温度表述的生长温度T被表示为(a1/T+b1)＜Vj＜(a2/T+b2)，其中使用系数a1＝－4.39×105，b1＝3.87×102，a2＝－7.36×105和b2＝7.37×102。这样，晶体中的位错密度减小。

公开(公告)号：CN101086963A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

摘要： 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN1275335C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN02142450.0

申请日：2002-09-19

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

摘要： 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN1269999C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN02105907.1

申请日：2002-04-09

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  上野昌纪

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B31/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L33/00

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持C面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧。或者，使用表面上具有C面的种晶，在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长，通过小平面，在氮化镓结晶中掺杂氧。

公开(公告)号：CN1175473C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN98812716.4

申请日：1998-10-29

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04 ,  Y10S117/902 ,  Y10S438/942

摘要： 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底2上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8；和外延层生成工序，在屏蔽层8上，生长由GaN构成的外延层12。

公开(公告)号：CN1380449A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105907.1

申请日：2002-04-09

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  上野昌纪

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B31/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L33/00

CPC分类号： C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

摘要： 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶,在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时,保持C面以外的表面,使氮化镓结晶进行气相成长,通过该表面,在氮化镓结晶中掺杂氧。或者,使用表面上具有C面的种晶,在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时,使产生C面以外的小平面,在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长,通过小平面,在氮化镓结晶中掺杂氧。

公开(公告)号：CN104022201A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410211067.X

申请日：2010-03-01

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

发明人： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007

摘要： 本发明提供晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件。所述晶片产品的制造方法为，在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。