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公开(公告)号：CN1933204A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610159296.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN100440557C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159296.7
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN1933203A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610159295.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN1582520B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN02822141.9
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN1933105A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610159297.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1582520A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02822141.9
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/0213 , H01S5/2036 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S2301/173
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN100440556C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159295.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN100440435C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159297.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN1994676A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610160545.4
申请日：2003-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
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公开(公告)号：CN100416868C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN03158057.2
申请日：2003-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
IPC: H01L33/00 , C30B29/38 , H01L21/304 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/02008 , B24B37/08 , H01L21/02024 , Y10S438/959
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
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