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公开(公告)号：CN100416868C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN03158057.2
申请日：2003-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
IPC: H01L33/00 , C30B29/38 , H01L21/304 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/02008 , B24B37/08 , H01L21/02024 , Y10S438/959
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
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公开(公告)号：CN1549357A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03158057.2
申请日：2003-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
IPC: H01L33/00 , C30B29/38 , H01L21/304 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/02008 , B24B37/08 , H01L21/02024 , Y10S438/959
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
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公开(公告)号：CN1994676A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610160545.4
申请日：2003-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
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公开(公告)号：CN103367480B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310302507.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 索尼公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。
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公开(公告)号：CN1305193C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN02811751.4
申请日：2002-06-14
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/0425 , H01S5/32341 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种多光束半导体激光器，能够发射具有均匀光输出能级的各条激光束并能够轻易对齐。该多光束半导体激光器(40)是GaN为基的多光束半导体激光器，设置有能够发射具有相同波长的激光束的四个激光条(42A、42B、42C和42D)。各激光振荡区(42A至42D)设置有一个位于形成于蓝宝石衬底(44)上的台面式结构(46)上的p型共用电极(48)，并分别具有有源区(50A、50B、50C和50D)。两个n型电极(52A和52B)设置在一n型GaN接触层(54)上，并且作为共用电极与p型共用电极(48)相对设置在台面式结构(46)的两侧。激光条(42A)与激光条(42D)之间的距离A不大于100μm。激光条(42A)与n型电极(52B)之间的距离B1不大于150μm，同时激光条(42D)与n型电极(52A)之间的距离B2不大于150μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102195232B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201110045868.X
申请日：2011-02-24
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供了一种锁模半导体激光器件及其驱动方法，所述锁模半导体激光器件包括：层压结构，其中，逐次地层压第一化合物半导体层、具有发光区域的第三化合物半导体层和第二化合物半导体层，以及第二电极和第一电极；其中，层压结构形成在具有极性的化合物半导体基板上，第三化合物半导体层包括具有势阱层和势垒层的量子阱结构，势阱层具有1nm以上且10nm以下的深度，势垒层具有2×1018cm-3以上且1×1020cm-3以下的掺杂浓度，以及使电流从第二电极经由层压结构流至第一电极，而在发光区域中生成光脉冲。
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公开(公告)号：CN103367480A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310302507.8
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 索尼公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。
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公开(公告)号：CN102856788A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210034734.2
申请日：2010-03-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/0625 , H01S5/042 , H01S5/343 , B82Y20/00
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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公开(公告)号：CN103022058A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281336.6
申请日：2011-09-21
Applicant: 索尼公司 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/142 , H01L31/078 , H01L31/0352 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/0725 , H01L31/0687 , H01L31/06875 , H01L31/0735 , H01S5/0262 , H01S5/0425 , H01S5/18325 , H01S5/3095 , H01S5/4043 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低，且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12、13、14)叠层而成，所述子电池由多个化合物半导体层(11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C)叠层而成，在至少一个相邻接的子电池(12、13)之间设置有包含导电材料的非晶质连接层(20A、20B)。
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公开(公告)号：CN101847826B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/0625 , H01S5/042
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
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