公开(公告)号：CN1938605A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010167.5

申请日：2005-06-22

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 藤浦和夫 ,  今井钦之 ,  笹浦正弘 ,  中村孝一郎

IPC分类号： G02B1/02

CPC分类号： G03F7/70958 ,  C30B29/30 ,  G02B1/02 ,  Y10S117/902 ,  Y10S117/918 ,  Y10T117/1068

摘要： 一种光学材料，其具有高折射率，没有各向异性，并具有宽的透射波长范围。采用了由αβO3构成的立方晶体材料，其中，α为K、Ba、Sr、Ca中的至少一种，β为Ta、Ti中的至少一种。优选地，采用由KTa1－xNbxO3构成的立方晶体材料，其中，组份x满足0≤x≤0.35，提高了折射率，同时保持相变温度低于室温。

公开(公告)号：CN1224574C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN01801220.5

申请日：2001-05-09

申请人： 德山株式会社

发明人： 若松智 ,  小田开行

IPC分类号： C01B33/02

CPC分类号： B01J19/24 ,  B01J10/005 ,  B01J2219/0009 ,  B01J2219/00094 ,  B01J2219/00159 ,  C01B33/03 ,  Y10S117/902 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T117/102 ,  Y10T428/2982

摘要： 内部具有气泡、表观密度为2.20g/cm3以下的带气泡多晶硅。该硅在破碎时微细粒子的发生非常少，而且可容易粉碎。这样的硅通过在氢的存在下，使含氢熔融的硅的液滴在0.2～3秒的时间内自然落下，使之冷却到液滴中封闭有氢气泡的状态而制得。这样的硅在具有以下结构的装置内制得，即在筒状容器中进行硅的析出·熔融、氯硅烷类的供给管被插到筒状容器内的硅熔融区，在筒状容器与氯硅烷类的供给管的间隙中供给密封气体。

公开(公告)号：CN1328634A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN99808621.5

申请日：1999-05-13

申请人： 结晶及技术有限公司

发明人： 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫 ,  L·N·奥波伦斯卡亚 ,  A·N·斯特帕诺瓦 ,  E·S·马施科瓦 ,  M·E·吉瓦吉佐夫 ,  I·V·兰杰楼

IPC分类号： G01B7/34 ,  G01N27/00

CPC分类号： G01Q70/16 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/62 ,  G01Q70/12 ,  Y10S117/902 ,  Y10S977/873 ,  Y10S977/875

摘要： AFM/STM探针基于通过蒸汽－液体－固体(VSL)机制生长的晶须。由绝缘体上外延硅结构制备沿着晶面(111)取向的硅悬臂,所述绝缘体上外延硅结构含有在基片(100)上的一个薄层(111)并具有SiO2夹层。在去除在上述生长机制中所固有的固化合金小球时,弄尖晶须,并以这样一种方式形成探针。通过上述机制在悬臂上所生长的晶须的剖面在生长过程期间可被控制改变,这使得可制备对于制备所述探针来说最佳的台阶形状的探针。还可形成具有展开部/收缩部的晶须,这些展开部/收缩部对于探针制备来说是重要的,该探针适于研究粗糙的表面、复杂的腔体、半导体微电子学中典型的槽、等等。

公开(公告)号：CN1283306A

公开(公告)日：2001-02-07

申请号：CN98812716.4

申请日：1998-10-29

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  H01L21/208 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  C01B21/06

CPC分类号： C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04 ,  Y10S117/902 ,  Y10S438/942

摘要： 一种GaN单晶衬底的制造方法,其特征在于,包括:屏蔽层形成工序,在GaAs衬底2上,形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8;和外延层生成工序,在屏蔽层8上,生长由GaN构成的外延层12。

公开(公告)号：CN1175985A

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN96192030.0

申请日：1996-10-09

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 约瑟夫F·巴拉西奥 ,  蒂恩T·努因 ,  戴维J·韦利 ,  西奥多E·林德

IPC分类号： C30B29/18 ,  C30B7/00 ,  C30B7/10

CPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/18 ,  Y10S117/902

摘要： ST切型和AT切型籽晶体(18、40)及其制造方法(100)。提供绕X(20)轴从+Z(22)轴向－Y轴(24)旋转约42.75°且确定ST切型的延伸籽晶体,在其上生长石英晶棒(32)。提供绕X轴从+Z轴向－Y轴旋转约35.25°且确定AT切型的延伸籽晶体,在其上生长石英晶棒(48)。可以平行于籽晶体将随后生产的石英晶棒切成晶片,由此减少废料(68),可以复原籽晶体进行再利用,可以生产没有中间籽晶部分的晶片(70),并可以提高生产能力。

公开(公告)号：CN88103598A

公开(公告)日：1988-12-07

申请号：CN88103598

申请日：1988-05-07

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 佐藤周一 ,  辻一夫

IPC分类号： C01B31/06 ,  C30B29/04

CPC分类号： B01J3/062 ,  B01J2203/0655 ,  B01J2203/068 ,  Y10S117/902

摘要： 一种借助于温度梯度法合成直径等于或大于8mm的大尺寸金刚石的方法，包括以直径等于或大于3mm的晶种的(111)或(100)面作为生长面，在使晶体开始生长之前，先使所说生长面的整个表面在金刚石稳定区内进行溶解，然后用一个溶剂塞来进行晶体生长，该溶剂塞的中心部分高于其边缘部分，溶剂塞的一端为一平面或曲面，在此面上，溶剂塞与碳源在晶体生长期内保持接触，所说的晶体生长在这样的压力和温度条件下进行使所说的(111)面或(100)面的生长占优势。

公开(公告)号：CN100399058C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200580010167.5

申请日：2005-06-22

申请人： 日本电信电话株式会社

发明人： 藤浦和夫 ,  今井钦之 ,  笹浦正弘 ,  中村孝一郎

IPC分类号： G02B1/02

CPC分类号： G03F7/70958 ,  C30B29/30 ,  G02B1/02 ,  Y10S117/902 ,  Y10S117/918 ,  Y10T117/1068

摘要： 一种光学材料，其具有高折射率，没有各向异性，并具有宽的透射波长范围。采用了由αβO3构成的立方晶体材料，其中，α为K、Ba、Sr、Ca中的至少一种，β为Ta、Ti中的至少一种。优选地，采用由KTa1-xNbxO3构成的立方晶体材料，其中，组份x满足0≤x≤0.35，提高了折射率，同时保持相变温度低于室温。

公开(公告)号：CN101168851A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710149732.7

申请日：2007-09-05

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 土肥敬幸 ,  中原信司 ,  樱井雅哉 ,  坂井正人

IPC分类号： C30B29/06 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02634 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L22/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/32 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S117/902 ,  H01L2924/00

摘要： 在{110}晶片中，可以进行100nm以下的LPD测定，防止表面粗糙度的恶化，可以判断表面状态，能够进行晶片的品质评价。本发明的在将使硅单晶的{110}面倾斜后的面作为主面的硅晶片上生长外延层的硅外延片中，生长外延层的硅晶片将使所述{110}面倾斜的倾角方位设定在从与该{110}面平行的 方位向 方向的0°～45°的范围内。

公开(公告)号：CN100344004C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200410044554.8

申请日：1998-10-29

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  C30B25/02

CPC分类号： C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04 ,  Y10S117/902 ,  Y10S438/942

摘要： 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底(2)上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗(10)的屏蔽层(8)，和外延层生成工序，在屏蔽层(8)上，生长由GaN构成的外延层(12)。

公开(公告)号：CN1318653C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN01818638.6

申请日：2001-11-07

申请人： 圣戈班晶体及检测公司

发明人： V·塔塔特岑科

IPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/14

CPC分类号： C30B7/00 ,  C30B29/14 ,  Y10S117/902

摘要： 本发明涉及一种组成为Z(H，D)2MO4的四方单晶(1，11)，其中Z是一种元素或元素组，或元素混合物和/或元素组混合物，它选自K，N(H，D)4，Rb，Ce组；M是选自P，As的元素；(H，D)是氢和/或氘，它包括大尺寸的近似平行六面体的区域，特别是每个面的边长AC1，AC2，AC3大于或等于200mm，优选大于或等于500mm，它由近似平行六面体籽晶(2，22)在溶液中生长而得到，其中籽晶的面的边长是AG1，AG2，AG3。本发明的特征在于，至少一个籽晶的边长AG1大于或等于十分之一的单晶的边长，优选为四分之一，以及籽晶的至少另一边长AG2小于或等于最长的籽晶边长五分之一，优选为十分之一。本发明同样涉及一种可以得到这种四方单晶的方法。这种晶体特别感兴趣的是制造光学元件，尤其是应用于激光器的光学元件。