公开(公告)号：CN109467090A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710800673.9

申请日：2017-09-07

Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司

Inventor： 大卫·米克森 ,  本·菲尔斯曼

IPC: C01B33/03 ,  C01B33/027

CPC classification number: C01B33/03 ,  C01B33/027

Abstract: 本发明公开了一种粒状多晶硅的生产方法，在流化床反应器中通过HCl-TCS混合进料，利用HCl在一定温度下的延迟化学反应，有效抑制硅粉的生成，高效地生产出粒状多晶硅。采用本发明的粒状多晶硅的生产方法，能避免进气口区域的滞留区以及进气管道、喷嘴沉积硅粉导致团聚、结垢或堵塞等现象发生，含硅气体仅在流态化较好的区域发生沉积生成粒状多晶硅。

公开(公告)号：CN109467089A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201710798943.7

申请日：2017-09-07

Applicant: 江苏中能硅业科技发展有限公司

Inventor： 大卫·米克森 ,  本·菲尔斯曼

IPC: C01B33/03 ,  C01B33/029 ,  C01B33/035

CPC classification number: C01B33/03 ,  C01B33/029 ,  C01B33/035

Abstract: 本发明公开了一种多晶硅生产方法，包括如下步骤：在化学气相沉积反应器的高温环境，通过原料氯代硅烷与氢气发生热分解反应，生成多晶硅，反应产生的尾气经尾气回收系统处理，将分离的氯化氢和氢气混合气体直接返回至化学气相沉积反应器继续参与反应。采用本发明技术方案，回收的氯化氢和氢气混合气体不再进行分离，而直接作为原料参与沉积反应，极大地节约了成本。同时，氯化氢能够抑制反应器内的硅粉产生，消除雾化现象，逐而减少反应器内壁的硅沉积，减少产品的氯含量，提高了产品纯度。

公开(公告)号：CN109034275A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811011310.8

申请日：2018-08-31

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 郭久俊

IPC: G06K9/62 ,  G06N3/08 ,  C01B33/03

CPC classification number: G06K9/6247 ,  C01B33/03 ,  G06N3/086

Abstract: 本申请公开了一种多晶硅还原工序能耗值的预测方法，包括：获取多晶硅还原工序能耗值的影响因素；利用小波神经网络算法对影响因素进行建模，得到初始化模型；利用SFLA算法对初始化模型进行优化，得到目标模型；利用目标模型对目标多晶硅还原工序的能耗值进行预测。可见，通过本申请中的方法能够显著提高多晶硅还原工序能耗值的预测精度。相应的，本申请公开的一种多晶硅还原工序能耗值的预测系统、介质及设备，同样具有上述有益效果。

公开(公告)号：CN108883942A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780023089.5

申请日：2017-04-07

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 小田开行 ,  望月直人

IPC: C01B33/03 ,  B22F9/28

CPC classification number: B22F9/28 ,  C01B33/03

Abstract: 一种金属粉末的制造方法，其特征在于：通过将分别被单独加热的金属氯化物的气体(金属源气体)与还原气体(例如氢气)接触混合的气相还原，使微细金属颗粒瞬间生成，从反应后的气流中捕集该微细金属颗粒，从而得到BET比表面积为5～250m2/g的金属粉末。

公开(公告)号：CN105829246B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201480059376.8

申请日：2014-10-17

Applicant: 瓦克化学股份公司

Inventor： H·沃赫纳

IPC: C01B33/027 ,  C01B33/035 ,  F24F3/16

CPC classification number: C23C16/442 ,  C01B33/027 ,  C01B33/03 ,  C01B33/035 ,  F24F3/161

Abstract: 本发明提供了一种制备多晶硅的方法，所述方法包括使多晶硅沉积于载体上，以获得多晶硅棒，或使多晶硅沉积于硅粒子上，以获得多晶硅颗粒，其中每种沉积都在位于1‑100000级的洁净室中的反应器中进行，其中将经过滤的空气通入到所述洁净室中。为了过滤，首先使所述空气由至少一个除去大于或等于1μm的粒子的过滤器中通过，然后由除去小于1μm的粒子的HEPA过滤器中通过。

公开(公告)号：CN105531229B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201480050755.0

申请日：2014-10-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石田昌彦 ,  祢津茂义 ,  齐藤弘 ,  长谷川正幸

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/03 ,  B01D3/143 ,  B01D53/002 ,  B01D53/0423 ,  B01D53/0438 ,  B01D2253/102 ,  B01D2256/26 ,  B01D2259/4009 ,  C01B33/035 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10784

Abstract: 本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。

公开(公告)号：CN107473228A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710947779.1

申请日：2017-10-12

Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 ,  青海省亚硅硅材料工程技术有限公司

Inventor： 张宝顺 ,  宗冰 ,  丁小海 ,  陈文胜 ,  王体虎

IPC: C01B33/03 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B33/03 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/80

Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，公开了一种纳米级晶体硅及其制备方法。纳米级晶体硅的制备方法包括将氯硅烷、硅烷等含硅气体混合氢气通入到等离子体发生器中，利用等离子体发生器的电磁场使混合气体形成等离子体，其具有较高的活性并发生反应，在等离子发生器中产生纳米级的硅颗粒。利用该方法制备纳米级晶体硅，由于硅颗粒是直接由等离子态的反应物反应生成，不经过破碎等工序，反应过程在等离子体发生器内，所以不易产生粉尘，也不易引入杂质。生产出的纳米级晶体硅纯度高、收率高，晶格缺陷少，性能优越。

公开(公告)号：CN107364868A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710824856.4

申请日：2017-09-14

Applicant: 江苏新潮光伏能源发展有限公司

Inventor： 张靖 ,  田晓军 ,  姚兴平 ,  李素琴 ,  张何 ,  严磊

IPC: C01B33/021 ,  C01B33/03

CPC classification number: C01B33/021 ,  C01B33/03

Abstract: 本发明公开了一种方便密封的多晶硅还原炉，包括底座和炉体，所述炉体的底部固定连接有第一圆环，所述第一圆环的下表面分别固定连接有活动块和密封垫圈，且密封垫圈位于活动块的内侧，所述密封垫圈的下表面与底座的上表面活动连接，所述底座的上表面开设有凹槽，且活动块活动连接在凹槽的内部，所述凹槽的内壁上开设有第一圆孔，活动块的一侧面开设有第二圆孔，第一圆孔和第二圆孔的内部均活动连接有圆杆，半圆球的一端固定连接有半圆球。本发明通过设置活动块、圆杆、螺纹杆、锥齿轮和齿轮，解决了目前在对还原炉与底座之间的密封大都采用多组螺纹进行密封，工人需要使用扳手将螺栓一个个拧紧，密封起来较为麻烦的问题。

公开(公告)号：CN107250428A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201580075951.8

申请日：2015-12-23

Applicant: 斯泰克有限责任公司 ,  马克·W·达塞尔

Inventor： 马克·W·达塞尔 ,  乌韦·克冉特 ,  大卫·A·布莱斯勒

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/442 ,  C01B33/029 ,  C01B33/03

CPC classification number: C23C16/442 ,  C01B33/029 ,  C01B33/03 ,  C09D1/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/52

Abstract: 允许高效、有成本效益地生产硅的机械式流化系统和构成。可将微粒提供到被加热的盘或锅，该盘或锅振荡或振动以得到反应表面。微粒在盘或锅中向下迁移，并且随着反应产物达到所期望状态，反应产物在盘或锅中向上迁移。排放的气体可重新循环。

公开(公告)号：CN107162003A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710522320.7

申请日：2017-06-30

Applicant: 于志远

Inventor： 于志远 ,  何燕清 ,  佘建峰 ,  刘于航

IPC: C01B33/107 ,  C01B33/03

CPC classification number: C01B33/1071 ,  C01B33/03

Abstract: 本发明为一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺。一种三氯氢硅制备高纯硅工艺，包括：(1)将三氯氢硅气体和氢气进入微通道混合加热器加热并混合，得加热后的混合气体；(2)将加热后的混合气体送入微通道反应器，加热并在催化剂的存在下反应，得反应后的混合物；(3)将反应后的混合物降温至后，进行固气分离，得高纯硅和冷却后的混合气体；将冷却后的混合气体中各个组分分离并回收利用。本发明还公布了一种四氯化硅氢化工艺。本发明所述的一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺，与传统工艺相比，四氯化硅和三氯氢硅的转化率可以达到50％以上；该工艺与微化工工艺结合，从而可以提高转化率、生产工艺的安全性，降低能耗。