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公开(公告)号：CN107848808B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201680044994.4
申请日：2016-08-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/02
Abstract: 如下所述的多晶硅棒显示出良好的FZ、L％值：其是以甲硅烷作为原料而培育出的多晶硅棒，其中，从任意的部位采取以与其径向垂直的截面作为主面的板状试样，由对该板状试样的主面照射电子射线而得到的电子背散射衍射图像求出的结晶粒径处于0.5～10μm的范围，并且平均粒径处于2～3μm的范围。此外，在板状试样的主面测定的热扩散率的值在25±1℃时处于75～85mm2/秒的范围的多晶硅棒显示出良好的FZ、L％值，适合作为单晶化原料。
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公开(公告)号：CN110481830A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910783400.7
申请日：2015-05-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: B65B5/04 , B65B55/24 , C01B33/035 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明，不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序，因此，能够使残留在表面的氟离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子均低于0.2ppbw。另外，通过覆盖塑料制袋，金属污染水平显著地降低。而且，如果进行本发明的操作，则即使长期保管，表面污染也几乎不会加重。
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公开(公告)号：CN105531229B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480050755.0
申请日：2014-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/03 , B01D3/143 , B01D53/002 , B01D53/0423 , B01D53/0438 , B01D2253/102 , B01D2256/26 , B01D2259/4009 , C01B33/035 , C01B33/1071 , C01B33/10784
Abstract: 本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。
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公开(公告)号：CN107083566A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710075000.1
申请日：2017-02-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G01B21/30 , C01B33/02 , C01B33/035 , C01P2004/04 , C01P2006/90 , C30B13/00 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B35/007 , G01Q30/20 , H01L21/76254 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及多晶硅和多晶硅的选择方法。本发明提供以比较简便的方法来选择适合用于稳定地以高成品率制造单晶硅的多晶硅的方法。在本发明中，将利用原子力显微镜(AFM)对选取的板状试样的表面测定表面粗糙度时表面最大粗糙度Rpv(Peak‑to‑Valley，峰‑谷)的值为5000nm以下、算术平均粗糙度Ra的值为600nm以下、并且均方根粗糙度Rq的值为600nm以下的多晶硅作为单晶硅的制造用原料。
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公开(公告)号：CN103547713B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280025081.X
申请日：2012-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C30B13/00 , C01B33/035 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B35/007 , G01N23/207
Abstract: 采集以与通过基于化学气相沉积法的析出进行生长而得到的多晶硅棒的长轴方向垂直的截面作为主面的板状试样，对采集的全部板状试样的面内的全部方向进行X射线衍射测定，选择 、 、 及 中任意一个的密勒指数均未观察到具有偏离于平均值±2标准偏差(μ±2σ)的衍射强度的X射线衍射峰的多晶硅棒作为无取向性的多晶硅棒，将其作为单晶硅制造用原料使用。使用这样的多晶硅原料时，能够抑制在局部发生部分熔融残留，有助于单晶硅的稳定的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104395740A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032180.5
申请日：2013-06-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G01N23/20 , C01B33/02 , C01B33/035
CPC classification number: G01N23/20 , C01B33/02 , C01B33/021 , C01B33/035 , C30B13/00 , C30B29/06 , C30B29/605 , G01N23/207 , G01N2223/3306 , G01N2223/606
Abstract: 利用X射线衍射法对多晶硅的晶体取向度进行评价时，将选取的圆板状试样20配置于对来自密勒指数面 的布拉格反射进行检测的位置，以圆板状试样20的中心作为旋转中心使其以旋转角度φ进行面内旋转以使得由狭缝确定的X射线照射区域对圆板状试样20的主面上进行φ扫描，求出表示来自密勒指数面 的布拉格反射强度对于圆板状试样20的旋转角度(φ)的依赖性的图表，由该图表求出基线，将该基线的衍射强度值用作晶体取向度的评价指标。本发明提供以高定量性和再现性来选择适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅且有助于稳定地制造单晶硅的技术。
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公开(公告)号：CN102498063B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080040911.7
申请日：2010-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/02
CPC classification number: H01L21/02595 , B01J19/02 , B01J2219/0236 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4411 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , Y02P20/124 , Y02P20/129
Abstract: 本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温度保持在370℃以下，并且，利用设置在冷却介质罐(20)中的压力控制部使回收的热水(15)减压而产生蒸汽，将其一部分以蒸汽的形式取出到外部，作为其他用途的加热源进行再利用。另外，作为设置在反应炉(10)的内壁的炉内侧的耐腐蚀层(11a)的材料，使用具有由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上的组成的合金材料。
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公开(公告)号：CN103958406A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058859.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/52
Abstract: 在本发明中，使硅在硅芯线上析出而得到多晶硅棒的多晶硅的制造方法中，在析出反应的初期阶段(前段工序)中通过将原料气体大量供给至反应炉内而在不提高反应速度的情况下使供给的原料气体的浓度为高浓度，由此提高反应速度，在该前段工序之后的后段工序中利用将原料气体高速吹入反应炉内所产生的高速强制对流的效果将爆米花的产生概率抑制在较低水平。由此，即使在高压化、高负荷化、高速化的反应体系中，也能够在不降低生产效率的情况下制造爆米花少且高纯度的多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN102574691B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201080046255.1
申请日：2010-07-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035 , Y10T29/53796 , Y10T29/53961
Abstract: 本发明提供一种多晶硅的制造方法，其能够在短时间内使硅芯线与芯线支架获得充分的接合强度，其结果是能够缩短反应初期的生长速度抑制期间。本发明的芯线支架(20)中，一端侧为具有圆锥台状的斜面的形状，在该端部设有开口部(22)，且形成有用于插入并保持硅芯线(5)的空洞(21)。在硅芯线(5)的表面通过西门子法使多晶硅(6)进行气相生长，进行多晶硅棒的制造。在开口部(22)附近的圆锥台状斜面上从开口部附近的外周面朝向空洞(21)形成有环状狭缝(23a～c)作为绝热层。该环状狭缝作为绝热部(绝热层)发挥作用，抑制来自硅芯线(5)或多晶硅(6)的传导热及辐射热向金属电极的逸散，并对芯线支架(20)的一端侧进行加热。
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公开(公告)号：CN102985364A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180029911.1
申请日：2011-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: F26B5/042 , B08B3/04 , B08B3/10 , C01B33/035 , C23C16/4407 , F26B5/12 , F28G13/00
Abstract: 钟罩具备金属性钟罩(1)和用于设置该钟罩(1)的金属性基板(2)，通过填料(3)使容器内部密闭。在基板(2)上连接压力计(4)、气体导入管路(5)、气体排气管路(6)，使钟罩(1)的内部压力的监测以及气体的导入和排气成为可能。在气体排气管路(6)的路线上设置真空泵(7)，通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压。通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压，由此有效地进行水分除去，在短时间内结束钟罩的干燥。通过本发明，提供提高钟罩内表面的清洁度从而有助于高纯度多晶硅的制造的技术。
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