金属有机物化学气相淀积系统中反应室上盖的清刷方法

    公开(公告)号:CN105624639A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201610087408.6

    申请日:2016-02-16

    IPC分类号: C23C16/18 C23C16/44

    CPC分类号: C23C16/18 C23C16/4407

    摘要: 一种金属有机物化学气相淀积系统中反应室上盖的清刷方法,是金属有机物化学气相淀积系统反应室内外延片生长结束后,降低进入反应室上盖的循环水温度,使反应室上盖恒温在20~30℃,然后用毛刷按照一个方向直线清刷反应室上盖的附着物。由于反应室上盖表面的温度降低,附着在反应室上盖上的附着物温度降低,附着物由趋向于液态而变成趋向于固态,这样附着物就容易被刷掉,不会粘连到毛刷上,也不会堵塞反应室上盖的小孔。本发明通过降低反应室上盖本身的温度,降低反应室上盖附着物的温度,使附着物趋向于固态而容易被刷掉,防止了附着物为液态状态非常容易粘连到毛刷上并将反应室上盖上的小孔堵塞,同时清刷的相对比较干净,提高了清刷效率。

    CVD反应器的排气装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103140602A

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201180047800.3

    申请日:2011-08-02

    IPC分类号: C23C16/44

    摘要: 提供了化学气相沉积反应器(10)及处理晶圆的方法。反应器(10)包括具有内部空间(26)的反应室(12)、与反应室内部空间连通的进气歧管(14)、包括具有通道(78)和一个或多个孔口(76)的排气歧管(72)的排气系统(70)、及安装在反应室内的一个或多个清洁元件(80)。进气歧管(14)可允许处理气体进入,以在保持在内部空间(26)的基片(58)上形成沉积。通道(78)可通过一个或多个孔口(76)与反应室(12)的内部空间(26)连通。一个或多个清洁元件(80)可在两位置之间移动,(i)是清洁元件远离一个或多个孔口的运行位置,(ii)是一个或多个清洁元件与一个或多个孔口(76)接合的清洁位置。

    反应腔构件的清洗
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1795058B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200480014041.0

    申请日:2004-04-14

    IPC分类号: B08B7/04 B08B9/00

    摘要: 本发明涉及形成于一反应腔构件上的工艺沉积物的清洗方法。该清洗方法是机械性地钻挖该构件的气孔,以清洁其内部的沉积物。随后,使该构件的一陶瓷部位暴露至一酸性溶液,例如由氢氟酸与硝酸所构成的溶液。可于该酸清洗步骤后重复这些气孔的机械性钻挖步骤。之后,借着引导一非反应性气体进入该等离子区,并于该等离子区中形成该非反应性气体等离子,以等离子稳定该构件。一范例中,该构件包含一静电卡盘,该静电卡盘包含一覆盖着一电极的陶瓷,且其内部具有气孔。