公开(公告)号：CN105531229A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480050755.0

申请日：2014-10-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石田昌彦 ,  祢津茂义 ,  齐藤弘 ,  长谷川正幸

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/03 ,  B01D3/143 ,  B01D53/002 ,  B01D53/0423 ,  B01D53/0438 ,  B01D2253/102 ,  B01D2256/26 ,  B01D2259/4009 ,  C01B33/035 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10784

Abstract: 本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。

公开(公告)号：CN105531229B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201480050755.0

申请日：2014-10-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石田昌彦 ,  祢津茂义 ,  齐藤弘 ,  长谷川正幸

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/03 ,  B01D3/143 ,  B01D53/002 ,  B01D53/0423 ,  B01D53/0438 ,  B01D2253/102 ,  B01D2256/26 ,  B01D2259/4009 ,  C01B33/035 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10784

Abstract: 本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。

公开(公告)号：CN105073638A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480008798.2

申请日：2014-01-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石田昌彦 ,  齐藤弘 ,  长谷川正幸

IPC: C01B33/107 ,  B01J31/08

CPC classification number: C01B33/1071 ,  B01J31/0237 ,  B01J31/08 ,  C01B33/10773 ,  C01B33/10778

Abstract: 在本发明所涉及的三氯硅烷的制造方法中，采用下述操作：在随着从含有甲基二氯硅烷(CH3HSiCl2)、四氯硅烷(SiCl4)和三氯硅烷(HSiCl3)的混合物(S)中除去甲基二氯硅烷而得到高纯度的三氯硅烷时，通过催化处理，在甲基二氯硅烷与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为三氯硅烷和甲基三氯硅烷(CH3SiCl3)。与作为精制对象的三氯硅烷(沸点32℃)沸点接近的甲基二氯硅烷(沸点41℃)通过与四氯硅烷之间进行氯原子的重分配而转变为沸点更高的甲基三氯硅烷(沸点66℃)，杂质除去变容易。

公开(公告)号：CN103201218B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201180052072.5

申请日：2011-09-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长谷川正幸 ,  殿村洋一 ,  久保田透 ,  青山武 ,  田中秀二

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/10794 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10763 ,  C01B33/10778

Abstract: 本发明的氯硅烷类的纯化方法具备氢化工序(101)和/或氯化工序(102)、杂质转化工序(103)、纯化工序(104)至少三个工序。杂质转化工序(103)中，添加由通式Ar-R-CHO(Ar为取代或未取代的芳基，R为碳原子数2以上的有机基团)表示的醛化合物，使氯硅烷类馏出物中含有的施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质。将使施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质后的氯硅烷类馏出物送至纯化工序(104)。纯化工序(104)中，通过使用蒸馏塔等从塔顶部回收到体系外，得到充分除去施主杂质和受主杂质后的高纯度氯硅烷类。由此使氯硅烷类馏出物中的施主杂质和受主杂质的含量降低。

公开(公告)号：CN103201218A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180052072.5

申请日：2011-09-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长谷川正幸 ,  殿村洋一 ,  久保田透 ,  青山武 ,  田中秀二

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/10794 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10763 ,  C01B33/10778

Abstract: 本发明的氯硅烷类的纯化方法具备氢化工序(101)和/或氯化工序(102)、杂质转化工序(103)、纯化工序(104)至少三个工序。杂质转化工序(103)中，添加由通式Ar-R-CHO(Ar为取代或未取代的芳基，R为碳原子数2以上的有机基团)表示的醛化合物，使氯硅烷类馏出物中含有的施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质。将使施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质后的氯硅烷类馏出物送至纯化工序(104)。纯化工序(104)中，通过使用蒸馏塔等从塔顶部回收到体系外，得到充分除去施主杂质和受主杂质后的高纯度氯硅烷类。由此使氯硅烷类馏出物中的施主杂质和受主杂质的含量降低。