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公开(公告)号：CN111591998B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201911370744.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/03
Abstract: 一种多晶硅制造装置，本发明提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性的技术。在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间设置一体式套筒结构的绝缘部件，将密封部件分别配置于绝缘部件的凸缘部的至少一部分和绝缘部件的直主体部的至少一部分。
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公开(公告)号：CN111591998A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201911370744.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/03
Abstract: 一种多晶硅制造装置，本发明提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性的技术。在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间设置一体式套筒结构的绝缘部件，将密封部件分别配置于绝缘部件的凸缘部的至少一部分和绝缘部件的直主体部的至少一部分。
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公开(公告)号：CN110550634A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910431751.1
申请日：2019-05-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒。从由西门子法培育出的多晶硅棒中采集晶片(评价试样)，筛选出粒径为100nm以下的大小的晶粒以面积比例计占3％以上的多晶硅棒作为单晶硅制造用原料。使用这种多晶硅棒作为原料并通过FZ法来培育单晶硅时，可显著抑制位错的发生。
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公开(公告)号：CN109694076A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201810915033.7
申请日：2018-08-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C30B29/06 , C30B15/00 , C30B13/00
CPC classification number: C30B29/06 , C01B33/035 , C01B33/037 , C30B13/34 , C30B15/36 , C30B25/00 , C30B29/605 , C30B35/007 , C30B13/00 , C30B15/00
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒和单晶硅的制造方法。本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅。本发明的多晶硅棒是在0.3MPaG以上的压力下通过化学气相法培育出的多晶硅棒，其中，在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时，在略低于熔点的温度下，未观察到多个结晶粒子不均质地集合的结晶区域、即不是针状结晶的结晶区域的直径超过10μm的不均质结晶区域。
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公开(公告)号：CN107867695A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710899771.2
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10778 , B01D3/009 , B01D3/14
Abstract: 本发明涉及三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法。本发明提供一种三氯硅烷的纯化技术，在由含有烃类的氯硅烷馏分纯化出高纯度三氯硅烷时，无需将大量的氯硅烷排出至体系外，并且也能够容易地进行反应控制。本发明中，为了使氯硅烷馏分中含有的烃类的分离变得容易，在纯化系统中设置通过热解进行低沸点化的工序。由此，在三氯硅烷的纯化循环中进行基于烃类的热解的低沸点化和分离，无需将大量的氯硅烷类排出至体系外。其结果，三氯硅烷的制造效率提高，也不会产生多晶硅的收率降低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110550634B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN201910431751.1
申请日：2019-05-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒。从由西门子法培育出的多晶硅棒中采集晶片(评价试样)，筛选出粒径为100nm以下的大小的晶粒以面积比例计占3％以上的多晶硅棒作为单晶硅制造用原料。使用这种多晶硅棒作为原料并通过FZ法来培育单晶硅时，可显著抑制位错的发生。
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公开(公告)号：CN118005019A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311388769.0
申请日：2023-10-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C30B29/06 , C30B13/00
Abstract: 本发明的一种多晶硅棒的直径为120mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为100％以下。本发明的另一种多晶硅棒的直径为140mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为150％以下。
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公开(公告)号：CN109694076B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201810915033.7
申请日：2018-08-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C30B29/06 , C30B15/00 , C30B13/00
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒和单晶硅的制造方法。本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅。本发明的多晶硅棒是在0.3MPaG以上的压力下通过化学气相法培育出的多晶硅棒，其中，在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时，在略低于熔点的温度下，未观察到多个结晶粒子不均质地集合的结晶区域、即不是针状结晶的结晶区域的直径超过10μm的不均质结晶区域。
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公开(公告)号：CN111560650A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010079430.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 一种通过西门子法制造多晶硅的装置，其具备芯线保持器(14)，其中，芯线保持器(14)的下端侧与向芯线保持器(14)通电的电极部(10)的顶部(18)接触，进一步，设置有固定部(17)，其从芯线保持器(14)的下端侧向下方延伸，用于将芯线保持器(14)固定至电极部(10)，其中，固定部(17)的下端部构成螺纹连接部(17a)，该螺纹连接部(17a)位于芯线保持器(14)与电极部(10)的顶部接触的表面的下方。芯线保持器(14)的下端侧与电极部(10)的顶部(18)接触的表面的电阻被设计成低于紧固螺纹连接部(17a)的部位的电阻。通过该装置能够提供一种避免电极的损坏或硅棒的污染的技术。
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公开(公告)号：CN109252215A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810724213.7
申请日：2018-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C30B35/007 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C30B13/00 , C30B29/06 , C30B28/14
Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。
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