公开(公告)号：CN118005019A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311388769.0

申请日：2023-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉田敦 ,  星野成大 ,  石田昌彦 ,  青山武 ,  山岸成俊 ,  金子良夫

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明的一种多晶硅棒的直径为120mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为100％以下。本发明的另一种多晶硅棒的直径为140mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为150％以下。

公开(公告)号：CN113832543A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110635824.6

申请日：2021-06-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉田敦 ,  星野成大 ,  石田昌彦 ,  青山武

IPC: C30B29/06 ,  C30B28/08

Abstract: 发明涉及的多晶硅棒的晶界特征为：距离多晶硅棒的截面中心2/3的区域中除硅芯以外的区域的平均对应晶界比例超过20％，晶界宽度超过550mm/mm2，随机晶界宽度不超过800mm/mm2。

公开(公告)号：CN103201218B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201180052072.5

申请日：2011-09-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长谷川正幸 ,  殿村洋一 ,  久保田透 ,  青山武 ,  田中秀二

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/10794 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10763 ,  C01B33/10778

Abstract: 本发明的氯硅烷类的纯化方法具备氢化工序(101)和/或氯化工序(102)、杂质转化工序(103)、纯化工序(104)至少三个工序。杂质转化工序(103)中，添加由通式Ar-R-CHO(Ar为取代或未取代的芳基，R为碳原子数2以上的有机基团)表示的醛化合物，使氯硅烷类馏出物中含有的施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质。将使施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质后的氯硅烷类馏出物送至纯化工序(104)。纯化工序(104)中，通过使用蒸馏塔等从塔顶部回收到体系外，得到充分除去施主杂质和受主杂质后的高纯度氯硅烷类。由此使氯硅烷类馏出物中的施主杂质和受主杂质的含量降低。

公开(公告)号：CN103201218A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180052072.5

申请日：2011-09-02

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 长谷川正幸 ,  殿村洋一 ,  久保田透 ,  青山武 ,  田中秀二

IPC: C01B33/107

CPC classification number: C01B33/10794 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10763 ,  C01B33/10778

Abstract: 本发明的氯硅烷类的纯化方法具备氢化工序(101)和/或氯化工序(102)、杂质转化工序(103)、纯化工序(104)至少三个工序。杂质转化工序(103)中，添加由通式Ar-R-CHO(Ar为取代或未取代的芳基，R为碳原子数2以上的有机基团)表示的醛化合物，使氯硅烷类馏出物中含有的施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质。将使施主杂质和受主杂质转化成高沸点物质后的氯硅烷类馏出物送至纯化工序(104)。纯化工序(104)中，通过使用蒸馏塔等从塔顶部回收到体系外，得到充分除去施主杂质和受主杂质后的高纯度氯硅烷类。由此使氯硅烷类馏出物中的施主杂质和受主杂质的含量降低。