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公开(公告)号：CN107848810A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043217.8
申请日：2016-07-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035 , C01B33/02
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明的反应炉(200)具备作为能够收容硅芯线的初始加热用的碳加热器的空间部的加热器收纳部。在该反应炉(200)中，仅在需要硅芯线(12)的初始加热时将碳加热器(13)向析出反应空间(20)载入，在硅芯线(12)的初始加热结束后将碳加热器(13)从析出反应空间向加热器收纳部(30)卸载。由此，碳加热器(13)在反应炉内不会受到必要以上的损害，能抑制劣化，而且能抑制与炉内的氢气的反应，因此抑制甲烷的产生，也抑制向多晶硅的碳污染。
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公开(公告)号：CN106976884A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710051831.5
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本申请发明涉及一种多晶硅棒的制造方法。在钟形玻璃罩(1)内配置的2对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换通过开关(S1～S3)来进行。该电路(16)中，从供给低频电流的一个低频电源(15L)、或供给具有2kHz以上的频率的高频电流的一个高频电源(15H)供给电流。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)而将2对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换至高频电源(15H)侧，则可以对被串联连结的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流来进行通电加热。
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公开(公告)号：CN102498065A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080040883.9
申请日：2010-07-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035 , C22C1/02 , Y02P20/124
Abstract: 本发明提供用于在得到高纯度的多晶硅的同时、将通过制造多晶硅而产生的热量在价值高的状态下进行回收的技术。反应炉(10)的内壁(11)具有两层结构，在与腐蚀性的工艺气体接触的炉内侧设置有由耐腐蚀性高的合金材料构成的耐腐蚀层(11a)，在炉外侧(外壁侧)设置有用于使反应炉(10)内的热量高效地从内壁面向冷却介质流路(13)传导的导热层(11b)。另外，冷却介质流路具备可使标准沸点以上的热水循环的耐压性。耐腐蚀层(11a)由合金材料构成，所述合金材料具有如下组成：在将铬(Cr)、镍(Ni)及硅(Si)的质量百分含量分别设定为[Cr]、[Ni]及[Si]时，由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上。在将反应炉内壁的炉内侧表面温度控制在370℃以下的状态下进行多晶硅的析出反应。
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公开(公告)号：CN102498063B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080040911.7
申请日：2010-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/02
CPC classification number: H01L21/02595 , B01J19/02 , B01J2219/0236 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4411 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , Y02P20/124 , Y02P20/129
Abstract: 本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温度保持在370℃以下，并且，利用设置在冷却介质罐(20)中的压力控制部使回收的热水(15)减压而产生蒸汽，将其一部分以蒸汽的形式取出到外部，作为其他用途的加热源进行再利用。另外，作为设置在反应炉(10)的内壁的炉内侧的耐腐蚀层(11a)的材料，使用具有由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上的组成的合金材料。
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公开(公告)号：CN103958406A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280058859.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/52
Abstract: 在本发明中，使硅在硅芯线上析出而得到多晶硅棒的多晶硅的制造方法中，在析出反应的初期阶段(前段工序)中通过将原料气体大量供给至反应炉内而在不提高反应速度的情况下使供给的原料气体的浓度为高浓度，由此提高反应速度，在该前段工序之后的后段工序中利用将原料气体高速吹入反应炉内所产生的高速强制对流的效果将爆米花的产生概率抑制在较低水平。由此，即使在高压化、高负荷化、高速化的反应体系中，也能够在不降低生产效率的情况下制造爆米花少且高纯度的多晶硅棒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102985364A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180029911.1
申请日：2011-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: F26B5/042 , B08B3/04 , B08B3/10 , C01B33/035 , C23C16/4407 , F26B5/12 , F28G13/00
Abstract: 钟罩具备金属性钟罩(1)和用于设置该钟罩(1)的金属性基板(2)，通过填料(3)使容器内部密闭。在基板(2)上连接压力计(4)、气体导入管路(5)、气体排气管路(6)，使钟罩(1)的内部压力的监测以及气体的导入和排气成为可能。在气体排气管路(6)的路线上设置真空泵(7)，通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压。通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压，由此有效地进行水分除去，在短时间内结束钟罩的干燥。通过本发明，提供提高钟罩内表面的清洁度从而有助于高纯度多晶硅的制造的技术。
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公开(公告)号：CN102574680A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046635.5
申请日：2010-07-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 黑泽靖志
CPC classification number: C01B3/56 , B01D53/002 , B01D53/1437 , B01D53/1456 , B01D53/1493 , B01D53/62 , B01D53/68 , B01D53/75 , B01D2252/10 , B01D2253/102 , B01D2256/16 , B01D2257/102 , B01D2257/2045 , B01D2257/2064 , B01D2257/502 , B01D2257/7025 , B01D2258/0216 , B01D2259/40086 , B01D2259/403 , C01B2203/043 , C01B2203/0465 , C01B2203/047 , C01B2203/048 , Y02A50/2341 , Y02C20/20 , Y02P20/154 , Y02P20/156
Abstract: 本发明尽量降低为了进行多晶硅制造装置的反应废气的分离而使用的补给氢气的量。将利用氯化氢吸收装置(30)除去了氯硅烷类以及氯化氢的反应废气导入吸附装置(50)中，进行精制后的氢气的回收(S105)。吸附装置(50)中填充有活性炭，在氢气为主体的气体通过该活性炭填充层期间，气体中包含的未分离的氯硅烷类、氯化氢、以及氮气、一氧化碳、甲烷、单硅烷被活性炭吸附而从气体中除去，得到精制后的氢气。氮气、一氧化碳、甲烷、单硅烷的吸附状态为压缩气体，而氯化氢以及氯硅烷类的吸附状态为液体，在解吸时需要提供气化热。利用该特性，仅通过分离解吸气体的路径，就能够将氯化氢以及氯硅烷类与其他杂质成分分离。
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公开(公告)号：CN102498063A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080040911.7
申请日：2010-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/02
CPC classification number: H01L21/02595 , B01J19/02 , B01J2219/0236 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4411 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , Y02P20/124 , Y02P20/129
Abstract: 本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温度保持在370℃以下，并且，利用设置在冷却介质罐(20)中的压力控制部使回收的热水(15)减压而产生蒸汽，将其一部分以蒸汽的形式取出到外部，作为其他用途的加热源进行再利用。另外，作为设置在反应炉(10)的内壁的炉内侧的耐腐蚀层(11a)的材料，使用具有由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上的组成的合金材料。
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公开(公告)号：CN106947955A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710117230.X
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/50 , C23C16/52 , C30B28/14 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒的制造方法。在钟形玻璃罩(1)内所配置的两对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换是通过开关(S1～S3)进行的。电流从供给低频率电流的一个低频电源(15L)或供给具有2kHz以上的频率的频率可变的高频电流的一个高频电源(15H)被供给到该电路(16)。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)从而将两对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换到高频电源(15H)侧，则能够对串联连接的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流而进行通电加热。
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公开(公告)号：CN104736480B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380054109.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: H01L21/02595 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/50 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 在本发明的方法中，通过调整供给至用于通过西门子法制造多晶硅的反应炉的原料气体的动能(原料气体供给喷嘴喷出口处的原料气体的流速和供给量)，控制爆米花的产生率。具体而言，在0.25MPa～0.9MPa的反应压力下进行多晶硅的析出反应时，在原料气体供给喷嘴(9)的气体供给口处的原料气体的流速设为u(m/sec)、原料气体供给量设为Q(kg/sec)、反应炉(100)的内部容积设为V(m3)时，以使得值Q×u2/V的合计Σ(Q×u2/V)为2500(kg/m·sec3)以上的方式设定原料气体供给喷嘴(9)各自的u和Q值。
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