发明授权
CN1224574C 多晶硅、其生产方法及生产装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 多晶硅、其生产方法及生产装置
- 专利标题（英）： Polycrystalline silicon, process and apparatus for producing the same
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申请号： CN01801220.5申请日： 2001-05-09
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公开(公告)号： CN1224574C公开(公告)日： 2005-10-26
- 发明人: 若松智 , 小田开行
- 申请人： 德山株式会社
- 申请人地址： 日本山口
- 专利权人： 德山株式会社
- 当前专利权人： 德山株式会社
- 当前专利权人地址： 日本山口
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 陈昕
- 优先权： 139023/00 2000.05.11 JP
- 国际申请： PCT/JP2001/003865 2001.05.09
- 国际公布： WO2001/085613 JA 2001.11.15
- 进入国家日期： 2002-01-10
- 主分类号： C01B33/02
- IPC分类号： C01B33/02
摘要：
内部具有气泡、表观密度为2.20g/cm3以下的带气泡多晶硅。该硅在破碎时微细粒子的发生非常少，而且可容易粉碎。这样的硅通过在氢的存在下，使含氢熔融的硅的液滴在0.2～3秒的时间内自然落下，使之冷却到液滴中封闭有氢气泡的状态而制得。这样的硅在具有以下结构的装置内制得，即在筒状容器中进行硅的析出·熔融、氯硅烷类的供给管被插到筒状容器内的硅熔融区，在筒状容器与氯硅烷类的供给管的间隙中供给密封气体。
公开/授权文献
- CN1372530A 多晶硅、其生产方法及生产装置 公开/授权日：2002-10-02
