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公开(公告)号：CN104508190A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380039432.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 索尔伏打电流公司
CPC classification number: C30B25/14 , C23C16/301 , C23C16/45504 , C23C16/45519 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B11/12 , C30B23/007 , C30B25/005 , C30B25/025 , C30B29/06 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/42 , C30B29/60 , C30B29/62 , Y10T117/102
Abstract: 一种气相纳米线生长装置，其包括反应室(200)、第一输入端和第二输入端(202B,202A)。第一输入端同心位于第二输入端内，并且第一输入端和第二输入端经布置，使得从第二输入端输送的第二流体在从第一输入端输送的第一流体和反应室壁之间提供包覆。可用催化剂颗粒气溶胶生长纳米线。
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公开(公告)号：CN103648968A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032764.8
申请日：2012-06-28
Applicant: LG伊诺特有限公司
CPC classification number: C23C14/0005 , B22F1/0044 , B22F9/16 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C04B35/622 , C23C16/01 , C30B11/12 , C30B29/60 , H01L29/0673 , H01L29/66469 , H01L29/775 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10T428/24802 , Y10T428/298
Abstract: 本发明提供了一种纳米线制造方法，所述方法包括：在基板上形成多个网格图案；在所述网格图案上形成纳米线；以及将所述网格图案和所述纳米线分离。根据本发明，纳米线的宽度和高度可以通过控制湿刻蚀过程的时间段来调节，并且能够在室温下以低成本制造纳米线，纳米线可以批量制造，并且即使在批量生产的情况下也可以制造具有规则性的纳米线。
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公开(公告)号：CN102351169B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110192086.9
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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公开(公告)号：CN1946634A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012457.3
申请日：2005-04-15
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: C30B11/12 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , C30B29/605
Abstract: 本发明提供纳米结构，即纳米级丝状材料比如碳纳米管(CNT)和其它纳米材料的阵列，尤其涉及连接到衬底比如至少一个顶部电极和一个底部电极上的所述材料，还涉及制备所述纳米结构的方法。根据本发明的器件包括互相分开的第一和第二层(11，13)，以及在所述第一和第二层(11，13)之间长出的纳米级丝状材料(10)。所述纳米级丝状材料的形状和尺寸由第二层的形状和尺寸确定。还提供了生长所述纳米级丝状材料的相应方法。
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公开(公告)号：CN1328634A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN99808621.5
申请日：1999-05-13
Applicant: 结晶及技术有限公司
Inventor： 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫 , L·N·奥波伦斯卡亚 , A·N·斯特帕诺瓦 , E·S·马施科瓦 , M·E·吉瓦吉佐夫 , I·V·兰杰楼
CPC classification number: G01Q70/16 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B29/62 , G01Q70/12 , Y10S117/902 , Y10S977/873 , Y10S977/875
Abstract: AFM/STM探针基于通过蒸汽－液体－固体(VSL)机制生长的晶须。由绝缘体上外延硅结构制备沿着晶面(111)取向的硅悬臂,所述绝缘体上外延硅结构含有在基片(100)上的一个薄层(111)并具有SiO2夹层。在去除在上述生长机制中所固有的固化合金小球时,弄尖晶须,并以这样一种方式形成探针。通过上述机制在悬臂上所生长的晶须的剖面在生长过程期间可被控制改变,这使得可制备对于制备所述探针来说最佳的台阶形状的探针。还可形成具有展开部/收缩部的晶须,这些展开部/收缩部对于探针制备来说是重要的,该探针适于研究粗糙的表面、复杂的腔体、半导体微电子学中典型的槽、等等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1219985A
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN97194954.9
申请日：1997-03-24
Applicant: 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
Inventor： 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫
CPC classification number: H01J9/025 , C30B11/12 , C30B25/005 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , Y10T117/102
Abstract: 本发明涉及在单晶衬底上生长定向晶须列阵的方法,该方法将待结晶材料从与晶须相同组分的固态源体气相迁移到覆盖着作为晶须生长成核/催化中心的液相颗粒的衬底上。源体的平面表面面对并且平行于衬底,以产生矢量－均匀的温度场,其梯度垂直于衬底和源。采用特殊设计的高频加热装置,其被安排在相对与高频电感器的特殊的位置上,来实现矢量－均匀温度场。激光器和/或灯热源既可以单独也可以组合用作高频热源。装置中,材料源被加热,衬底由材料源加热。在另一种情况下,衬底被加热,材料源由衬底加热。
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公开(公告)号：CN107849727A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680037573.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 哥本哈根大学
CPC classification number: C30B11/12 , C30B29/60 , C30B29/66 , H01L21/02603
Abstract: 本公开涉及一种用于产生互连纳米结构的网络的方法，所述方法包括以下步骤：提供大致平面的衬底；从所述衬底生长多个细长纳米结构；扭结所述纳米结构的至少一部分的生长方向，使得至少部分扭结的纳米结构在平行于所述衬底的网络平面内生长；以及在所述网络平面内产生一个或多个互连扭结纳米结构的网络，其中在所述网络平面下方设置有介电支撑层，以支撑互连纳米结构的所述(多个)网络。
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公开(公告)号：CN101010780B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200580021904.1
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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公开(公告)号：CN102443757A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110419181.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 国家航空与空间研究事务局
CPC classification number: F01D25/005 , C23C10/02 , C23C10/08 , C23C10/44 , C23C12/02 , C23C30/00 , C30B11/12 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种在基于硅和铌的难熔复合材料上形成抵抗高温氧化的防护性涂层的方法，其中要防护的表面上存在的铬与含硅和氧的反应性气体反应，从而获得具有两相的复合涂层，其第一相是基于氧化硅的氧化物相，该相具有粘塑性，其第二相基于硅、铬和氧，其中第一相和第二相在高温下聚结，这在工作期间允许第二相充当贮存体使第一通过与氧化性气体反应而重整。本发明优选用于航空发动机领域。
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公开(公告)号：CN101562205B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910141087.3
申请日：2003-07-08
Applicant: 库纳诺公司
Inventor： 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 , 约纳斯·比约恩·奥尔松
IPC: H01L31/042 , H01L31/102 , H01L27/144
CPC classification number: H01L31/035227 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
Abstract: 本发明涉及一种光电装置，其包括：设有接点区的衬底；至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须，所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的p-n结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池，其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外，本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器，其中所述光电装置适于探测辐射。
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