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公开(公告)号：CN1826694B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200480015504.5
申请日：2004-04-01
申请人： 库纳诺公司
发明人： 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 , 比约恩·约纳斯·奥尔松 , 拉尔斯-奥克·勒拜博
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861 , C30B29/62
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B29/62 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02653 , H01L21/2258 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/861 , H01L29/885 , Y10S977/932
摘要： 本发明公开了一种纳米工程结构，其包括具有高迁移率导电性的纳米须，并且包括pn结。在一个实施例中，由第一半导体材料构成的纳米须具有第一带隙，并包括至少一种具有第二带隙的第二材料的外壳，该外壳沿着至少部分所述纳米元件长度密封该纳米元件，掺杂所述第二材料，从而在沿着该纳米须长度的第一和第二区域中分别提供相反导电性类型的载荷子，从而在所述纳米元件中通过将载荷子传送到所述纳米元件中而生成由相反导电性类型载荷子形成的相应第一和第二区域，在这两个区域之间具有自由载流子耗尽区。在另一实施例中，纳米须被包含掺杂剂材料的聚合物材料包围。在又一实施例中，纳米须在两种不同本征材料之间具有异质结，并且费米能级钉扎在未掺杂的界面处生成了pn结。
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公开(公告)号：CN1826662A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480020840.9
申请日：2004-01-07
申请人： 库纳诺公司
发明人： 拉尔斯·伊瓦尔·萨穆埃尔松 , 比约恩·约纳斯·奥尔松
摘要： 一种用于扫描探针显微镜的探针结构包括从直立的尖端元件(4、26)的自由端部凸出并与尖端元件整体形成的纳米晶须(16、34)。在另一个实施例中，数据存储介质包括纳米晶须(54)阵列，每一纳米晶须由磁性材料形成，纳米晶须的直径使得单个铁磁畴存在于纳米晶须内，优选具有不大于大约25nm的直径且更优选为不大于大约10nm；以及读取/写入结构，该结构包括用于注入自旋极化电子流到阵列的选定纳米晶须中的探针结构，该探针结构或者用于检测纳米晶须中的磁化方向或者用于迫使纳米晶须处入所需磁化方向。当探针纳米晶须使用催化粒子熔融物通过VLS工艺形成时，晶须可以形成一个牺牲区段，用于通过选择性蚀刻区段以去除催化材料。
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公开(公告)号：CN1829654B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200480015494.5
申请日：2004-01-07
申请人： 库纳诺公司
发明人： 拉尔斯·伊瓦尔·萨穆埃尔松 , 比约恩·约纳斯·奥尔松 , 托马斯·马丁·英瓦尔·莫滕松
摘要： 一种纳米工程构件，其包括以预定空间结构位于基片上的超过大约1000个纳米晶须的阵列，该阵列例如用作光子带隙阵列，其中每个纳米晶须与与预定部位的距离不大于其与最近相邻晶须的距离的大约20％。为了制造该阵列，一催化材料块体的阵列置于所述表面上，加热并引入呈气态形式的材料，以便由每个块体产生催化籽粒，并由催化籽粒外延生长预定材料的纳米晶须，并且其中每个块体在熔化时与基片表面保持大致相同的界面，并使得导致块体在所述表面上迁移的力小于基片表面上的润湿界面处的保持力。
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公开(公告)号：CN101562205A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910141087.3
申请日：2003-07-08
申请人： 库纳诺公司
发明人： 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 , 约纳斯·比约恩·奥尔松
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/102 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/035227 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
摘要： 本发明涉及一种光电装置，其包括：设有接点区的衬底；至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须，所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的p－n结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池，其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外，本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器，其中所述光电装置适于探测辐射。
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公开(公告)号：CN101562205B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910141087.3
申请日：2003-07-08
申请人： 库纳诺公司
发明人： 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 , 约纳斯·比约恩·奥尔松
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/102 , H01L27/144
CPC分类号： H01L31/035227 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
摘要： 本发明涉及一种光电装置，其包括：设有接点区的衬底；至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须，所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的p-n结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池，其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外，本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器，其中所述光电装置适于探测辐射。
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公开(公告)号：CN100500950C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN03821285.4
申请日：2003-07-08
申请人： 库纳诺公司
发明人： 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 , 约纳斯·比约恩·奥尔松
CPC分类号： H01L31/035227 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
摘要： 通过采用具有不同带隙的不同材料形成晶须的长度部分，将共振隧穿二极管和其它一维电子、光子结构以及机电MEMS装置制成纳米晶须中的异质结构。因此，共振隧穿二极管包括纳米晶须，该纳米晶须在其一端具有籽晶颗粒熔融体并具有纳米尺寸的恒定直径的柱，从而展现出量子局限效应，该柱包括：分别包含发射极和集电极的第一和第二半导体部分、位于第一和第二半导体部分之间的第三和第四部分以及位于第三和第四部分之间并形成量子阱的第五中央部分，其中，第三和第四部分的材料具有不同于第一和第二半导体部分的带隙，第五中央部分的半导体材料具有不同于第三和第四部分的带隙。RTD通过一种方法制成，该方法包括：在衬底上沉积颗粒，并将该籽晶颗粒暴露于处于温度和压力控制条件下的材料中，从而用该籽晶颗粒形成熔融体，因此，该籽晶颗粒在柱的顶端爬升，以形成纳米晶须，该纳米晶须的柱具有纳米尺寸的恒定直径；在柱的生长过程中，有选择地改变所述气体的组分，从而不连续地改变该柱在沿着其长度区域中的材料组分，并同时维持外延生长，其中，所述部分的材料之间的晶格失配通过边界处的晶须沿径向向外膨胀得以调适。
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