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公开(公告)号：CN101010780B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200580021904.1
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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公开(公告)号：CN1745468B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN03825485.9
申请日：2003-09-30
Applicant: 纳米系统公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/00 , H01L29/06 , C01B31/02 , H03H11/20
CPC classification number: H01F1/405
Abstract: 本发明公开了一种用于具有多个半导体器件的电子衬底的方法和设备。纳米线薄膜形成在衬底上。纳米线薄膜形成具有足够的纳米线密度，从而实现工作电流值。在纳米线薄膜中限定多个半导体区。在半导体器件区中形成接触，由此提供到多个半导体器件的电连接。此外，还公开了用于制造纳米线的各种材料，包括p掺杂纳米线和n掺杂纳米线的薄膜、纳米线异质结构、发光纳米线异质结构、用于在衬底上定位纳米线的流体掩模、用于淀积纳米线的纳米线喷射技术、用于减少或消除纳米线中的电子的声子散射的技术，以及用于减少纳米线中的表面散射的技术。
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公开(公告)号：CN1863954B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200480028982.X
申请日：2004-08-04
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L2924/0002 , Y10T428/2913 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制备纳米线-材料复合体的系统和方法。提供衬底，其具有与至少一个表面的一部分粘附的纳米线。在该部分上沉积材料，以形成纳米线-材料复合体。该方法还任选包括将纳米线-材料复合体与衬底分离，以形成独立式纳米线复合体。任选将独立式纳米线复合体进一步加工成为电子衬底。使用其中描述的方法可以制备各种电子衬底。例如，可以由纳米线-材料复合体的多个、叠层制备多色发光二极管，每个复合体层发射不同波长的光。
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公开(公告)号：CN102351169A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110192086.9
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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公开(公告)号：CN1863954A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480028982.X
申请日：2004-08-04
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L2924/0002 , Y10T428/2913 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制备纳米线－材料复合体的系统和方法。提供衬底，其具有与至少一个表面的一部分粘附的纳米线。在该部分上沉积材料，以形成纳米线－材料复合体。该方法还任选包括将纳米线－材料复合体与衬底分离，以形成独立式纳米线复合体。任选将独立式纳米线复合体进一步加工成为电子衬底。使用其中描述的方法可以制备各种电子衬底。例如，可以由纳米线－材料复合体的多个、叠层制备多色发光二极管，每个复合体层发射不同波长的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101563801B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200680043546.9
申请日：2006-11-20
Applicant: 纳米系统公司
Inventor： 牛春明
CPC classification number: H01M4/92 , B82Y30/00 , H01G11/36 , H01M4/583 , H01M4/8605 , H01M4/8657 , H01M4/8807 , H01M8/1007 , H01M10/52 , Y02E60/13 , Y02P70/56
Abstract: 本发明涉及纳米线结构体以及包含这样的结构体的互连纳米线网络，以及它们的制备方法。纳米线结构体包含纳米线芯、碳-基层，以及在另外实施方案中的由形成在纳米线芯上的石墨烯构成的碳-基结构体，如纳米石墨片，将所述纳米线结构体在网络中互连。网络是可以形成膜或粒子的多孔结构。纳米线结构体和使用它们形成的网络可用于催化剂和电极的应用，包括燃料电池，以及可用于场发射装置、载体基底和色谱应用。
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公开(公告)号：CN101563801A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200680043546.9
申请日：2006-11-20
Applicant: 纳米系统公司
Inventor： 牛春明
CPC classification number: H01M4/92 , B82Y30/00 , H01G11/36 , H01M4/583 , H01M4/8605 , H01M4/8657 , H01M4/8807 , H01M8/1007 , H01M10/52 , Y02E60/13 , Y02P70/56
Abstract: 本发明涉及纳米线结构体以及包含这样的结构体的互连纳米线网络，以及它们的制备方法。纳米线结构体包含纳米线芯、碳－基层，以及在另外实施方案中的由形成在纳米线芯上的石墨烯构成的碳－基结构体，如纳米石墨片，将所述纳米线结构体在网络中互连。网络是可以形成膜或粒子的多孔结构。纳米线结构体和使用它们形成的网络可用于催化剂和电极的应用，包括燃料电池，以及可用于场发射装置、载体基底和色谱应用。
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公开(公告)号：CN1745468A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN03825485.9
申请日：2003-09-30
Applicant: 纳米系统公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/00 , H01L29/06 , C01B31/02 , H03H11/20
CPC classification number: H01F1/405
Abstract: 本发明公开了一种用于具有多个半导体器件的电子衬底的方法和设备。纳米线薄膜形成在衬底上。纳米线薄膜形成具有足够的纳米线密度，从而实现工作电流值。在纳米线薄膜中限定多个半导体区。在半导体器件区中形成接触，由此提供到多个半导体器件的电连接。此外，还公开了用于制造纳米线的各种材料，包括p掺杂纳米线和n掺杂纳米线的薄膜、纳米线异质结构、发光纳米线异质结构、用于在衬底上定位纳米线的流体掩模、用于淀积纳米线的纳米线喷射技术、用于减少或消除纳米线中的电子的声子散射的技术，以及用于减少纳米线中的表面散射的技术。
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公开(公告)号：CN102351169B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110192086.9
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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公开(公告)号：CN101124659A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200580029912.0
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
Inventor： L·T·罗马诺 , 陈建 , 段镶锋 , R·S·杜布罗 , S·A·恩培多克勒 , J·L·戈德曼 , J·M·汉密尔顿 , D·L·希尔德 , F·莱米 , 牛春明 , 潘尧令 , G·蓬蒂斯 , V·萨布 , E·C·谢尔 , D·P·斯顿博 , J·A·怀特福德
IPC: H01L21/20 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及获取、集成和利用纳米材料的方法，特别是细长纳米材料的方法。本发明提供获取纳米线的方法，该方法包括：选择性蚀刻在纳米线衬底上放置的牺牲层以除去纳米线。本发明还提供将纳米线集成为电子器件的方法，该方法包括：与纳米线的流体悬浮体接触放置圆柱体的外表面并且滚动纳米线涂布的圆柱体以将纳米线沉积在表面上。还提供了使用喷墨印刷机或孔沉积纳米线以排列纳米线的方法。本发明的其它方面提供防止纳米线基晶体管中栅极短路的方法。还提供用于获取和集成纳米线的其它方法。
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