公开(公告)号：CN1703730A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN03825281.3

申请日：2003-09-30

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： 戴维·斯顿博 ,  斯蒂芬·恩培多克勒

IPC: G09G3/22 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01F1/405

Abstract: 本发明涉及一种使用纳米线晶体管的显示器。具体地，描述了一种使用纳米线象素晶体管、纳米线行晶体管、纳米线列晶体管以及纳米线边缘电子设备的液晶显示器。纳米线象素晶体管用于控制向包含液晶的象素所施加的电压。纳米线行晶体管用于导通和截止纳米线象素晶体管，其位置沿着连接到纳米线行晶体管的行连线。纳米线列晶体管用于向纳米线象素晶体管施加电压，其位置沿着连接到纳米线列晶体管的列连线。此外还提供了显示器，包括使用纳米线晶体管的有机发光二极管(OLED)显示器、纳米管场效应显示器、等离子体显示器、微反射镜显示器、微机电(MEMs)显示器、电致变色显示器以及电泳显示器。

公开(公告)号：CN1745468A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN03825485.9

申请日：2003-09-30

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： 段镶锋 ,  牛春明 ,  斯蒂芬·恩培多克勒斯 ,  琳达·T·罗马诺 ,  陈建 ,  维坚德拉·萨赫尔 ,  劳伦斯·伯克 ,  戴维·斯顿博 ,  J·瓦利亚塞·帕克 ,  热·L·戈德曼

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L29/06 ,  C01B31/02 ,  H03H11/20

CPC classification number: H01F1/405

Abstract: 本发明公开了一种用于具有多个半导体器件的电子衬底的方法和设备。纳米线薄膜形成在衬底上。纳米线薄膜形成具有足够的纳米线密度，从而实现工作电流值。在纳米线薄膜中限定多个半导体区。在半导体器件区中形成接触，由此提供到多个半导体器件的电连接。此外，还公开了用于制造纳米线的各种材料，包括p掺杂纳米线和n掺杂纳米线的薄膜、纳米线异质结构、发光纳米线异质结构、用于在衬底上定位纳米线的流体掩模、用于淀积纳米线的纳米线喷射技术、用于减少或消除纳米线中的电子的声子散射的技术，以及用于减少纳米线中的表面散射的技术。

公开(公告)号：CN102569349A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210040611.X

申请日：2003-09-30

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： 戴维·斯顿博 ,  斯蒂芬·恩培多克勒

IPC: H01L27/32 ,  G09F9/35 ,  H01L29/06 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/1222 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  G02F1/13454 ,  G02F2202/36 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/08 ,  G11C13/025 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512

Abstract: 本发明涉及一种使用纳米线晶体管的显示器。具体地，描述了一种使用纳米线象素晶体管、纳米线行晶体管、纳米线列晶体管以及纳米线边缘电子设备的液晶显示器。纳米线象素晶体管用于控制向包含液晶的象素所施加的电压。纳米线行晶体管用于导通和截止纳米线象素晶体管，其位置沿着连接到纳米线行晶体管的行连线。纳米线列晶体管用于向纳米线象素晶体管施加电压，其位置沿着连接到纳米线列晶体管的列连线。此外还提供了显示器，包括使用纳米线晶体管的有机发光二极管(OLED)显示器、纳米管场效应显示器、等离子体显示器、微反射镜显示器、微机电(MEMs)显示器、电致变色显示器以及电泳显示器。

公开(公告)号：CN1745468B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN03825485.9

申请日：2003-09-30

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： 段镶锋 ,  牛春明 ,  斯蒂芬·恩培多克勒斯 ,  琳达·T·罗马诺 ,  陈建 ,  维坚德拉·萨赫尔 ,  劳伦斯·伯克 ,  戴维·斯顿博 ,  J·瓦利亚塞·帕克 ,  热·L·戈德曼

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L29/06 ,  C01B31/02 ,  H03H11/20

CPC classification number: H01F1/405

Abstract: 本发明公开了一种用于具有多个半导体器件的电子衬底的方法和设备。纳米线薄膜形成在衬底上。纳米线薄膜形成具有足够的纳米线密度，从而实现工作电流值。在纳米线薄膜中限定多个半导体区。在半导体器件区中形成接触，由此提供到多个半导体器件的电连接。此外，还公开了用于制造纳米线的各种材料，包括p掺杂纳米线和n掺杂纳米线的薄膜、纳米线异质结构、发光纳米线异质结构、用于在衬底上定位纳米线的流体掩模、用于淀积纳米线的纳米线喷射技术、用于减少或消除纳米线中的电子的声子散射的技术，以及用于减少纳米线中的表面散射的技术。