公开(公告)号：CN102428763A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201080021697.0

申请日：2010-05-19

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： Y·朱 ,  J·L·戈德曼 ,  J·哈特洛夫 ,  H·J·霍夫勒 ,  B·钱 ,  V·萨希 ,  I·C·斯蒂芬 ,  D·P·斯顿博

IPC: H05K1/16 ,  H01R43/00 ,  B01D57/02 ,  G01L1/20

CPC classification number: H01M4/583 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  Y10T29/49108

Abstract: 本发明涉及用于电池的纳米结构材料(包括纳米线)。示例的材料包括含碳的Si基纳米结构体、布置在碳基基底上的纳米结构材料，和包含纳米尺度支架的纳米结构体。本发明还提供使用纳米结构材料制备电池电极和电池的方法。

公开(公告)号：CN101124659A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200580029912.0

申请日：2005-04-29

Applicant: 纳米系统公司

Inventor： L·T·罗马诺 ,  陈建 ,  段镶锋 ,  R·S·杜布罗 ,  S·A·恩培多克勒 ,  J·L·戈德曼 ,  J·M·汉密尔顿 ,  D·L·希尔德 ,  F·莱米 ,  牛春明 ,  潘尧令 ,  G·蓬蒂斯 ,  V·萨布 ,  E·C·谢尔 ,  D·P·斯顿博 ,  J·A·怀特福德

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及获取、集成和利用纳米材料的方法，特别是细长纳米材料的方法。本发明提供获取纳米线的方法，该方法包括：选择性蚀刻在纳米线衬底上放置的牺牲层以除去纳米线。本发明还提供将纳米线集成为电子器件的方法，该方法包括：与纳米线的流体悬浮体接触放置圆柱体的外表面并且滚动纳米线涂布的圆柱体以将纳米线沉积在表面上。还提供了使用喷墨印刷机或孔沉积纳米线以排列纳米线的方法。本发明的其它方面提供防止纳米线基晶体管中栅极短路的方法。还提供用于获取和集成纳米线的其它方法。