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公开(公告)号：CN102351169B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110192086.9
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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公开(公告)号：CN101401210B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200580043138.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 纳米系统公司
IPC: H01L29/775
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/42384 , H01L29/42392 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78645 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , Y10S977/762 , Y10S977/932 , Y10S977/938
Abstract: 本发明描述了用于具有改进的栅极结构的电子装置的方法、系统和设备。电子装置包括至少一根纳米线。栅极触点沿所述至少一根纳米线的长度的至少一部分定位。电介质材料层在栅极触点与所述至少一根纳米线之间。源极触点和漏极触点与所述至少一根纳米线接触。源极触点和/或漏极触点的至少一部分沿纳米线长度与栅极触点重叠。在另一方面，电子装置包括具有由绝缘壳层围绕的半导体芯部的纳米线。环形第一栅极区沿纳米线的长度的一部分围绕纳米线。第二栅极区沿纳米线的长度定位在纳米线与衬底之间。源极触点和漏极触点连接到在半导体芯部的各个露出部分处的纳米线的半导体芯部。
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公开(公告)号：CN101401210A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580043138.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 纳米系统公司
IPC: H01L29/775
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/42384 , H01L29/42392 , H01L29/775 , H01L29/785 , H01L29/78645 , H01L29/78681 , H01L29/7869 , Y10S977/762 , Y10S977/932 , Y10S977/938
Abstract: 本发明描述了用于具有改进的栅极结构的电子装置的方法、系统和设备。电子装置包括至少一根纳米线。栅极触点沿所述至少一根纳米线的长度的至少一部分定位。电介质材料层在栅极触点与所述至少一根纳米线之间。源极触点和漏极触点与所述至少一根纳米线接触。源极触点和/或漏极触点的至少一部分沿纳米线长度与栅极触点重叠。在另一方面，电子装置包括具有由绝缘壳层围绕的半导体芯部的纳米线。环形第一栅极区沿纳米线的长度的一部分围绕纳米线。第二栅极区沿纳米线的长度定位在纳米线与衬底之间。源极触点和漏极触点连接到在半导体芯部的各个露出部分处的纳米线的半导体芯部。
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公开(公告)号：CN101010780B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200580021904.1
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1863954B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200480028982.X
申请日：2004-08-04
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L2924/0002 , Y10T428/2913 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制备纳米线-材料复合体的系统和方法。提供衬底，其具有与至少一个表面的一部分粘附的纳米线。在该部分上沉积材料，以形成纳米线-材料复合体。该方法还任选包括将纳米线-材料复合体与衬底分离，以形成独立式纳米线复合体。任选将独立式纳米线复合体进一步加工成为电子衬底。使用其中描述的方法可以制备各种电子衬底。例如，可以由纳米线-材料复合体的多个、叠层制备多色发光二极管，每个复合体层发射不同波长的光。
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公开(公告)号：CN102351169A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110192086.9
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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公开(公告)号：CN1863954A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480028982.X
申请日：2004-08-04
Applicant: 纳米系统公司
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L2924/0002 , Y10T428/2913 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制备纳米线－材料复合体的系统和方法。提供衬底，其具有与至少一个表面的一部分粘附的纳米线。在该部分上沉积材料，以形成纳米线－材料复合体。该方法还任选包括将纳米线－材料复合体与衬底分离，以形成独立式纳米线复合体。任选将独立式纳米线复合体进一步加工成为电子衬底。使用其中描述的方法可以制备各种电子衬底。例如，可以由纳米线－材料复合体的多个、叠层制备多色发光二极管，每个复合体层发射不同波长的光。
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公开(公告)号：CN101124659A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200580029912.0
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
Inventor： L·T·罗马诺 , 陈建 , 段镶锋 , R·S·杜布罗 , S·A·恩培多克勒 , J·L·戈德曼 , J·M·汉密尔顿 , D·L·希尔德 , F·莱米 , 牛春明 , 潘尧令 , G·蓬蒂斯 , V·萨布 , E·C·谢尔 , D·P·斯顿博 , J·A·怀特福德
IPC: H01L21/20 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及获取、集成和利用纳米材料的方法，特别是细长纳米材料的方法。本发明提供获取纳米线的方法，该方法包括：选择性蚀刻在纳米线衬底上放置的牺牲层以除去纳米线。本发明还提供将纳米线集成为电子器件的方法，该方法包括：与纳米线的流体悬浮体接触放置圆柱体的外表面并且滚动纳米线涂布的圆柱体以将纳米线沉积在表面上。还提供了使用喷墨印刷机或孔沉积纳米线以排列纳米线的方法。本发明的其它方面提供防止纳米线基晶体管中栅极短路的方法。还提供用于获取和集成纳米线的其它方法。
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公开(公告)号：CN101010780A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580021904.1
申请日：2005-04-29
Applicant: 纳米系统公司
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/18 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/66477 , H01L29/78 , H01L29/7854 , H01L2924/0002 , Y10S438/962 , Y10S977/742 , Y10S977/743 , Y10S977/843 , Y10S977/891 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及纳米线生长和获取的体系和方法。在一个实施方案中，提供纳米线生长和掺杂的方法，包括使用硅前体的组合的用于外延取向纳米线生长的方法。在本发明的又一个方面中，提供通过牺牲生长层的使用提高纳米线质量的方法。在本发明的另一个方面中，提供用于将纳米线从一个衬底转移到另一个衬底的方法。
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