一种通过使用荫罩来制造纳米结构化的器件的方法

    公开(公告)号:CN109392313B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN201780015770.5

    申请日:2017-03-07

    Abstract: 本公开涉及用于形成有效的量子器件,特别是在非原位工艺中未被污染的量子器件的器件和方法。特别地,本公开的方法可用于制造作为可调谐超导量子位中的元件的约瑟夫逊结。一个实施方案涉及在细长纳米结构的表面层中原位制造势垒/间隙的方法,该方法包括以下步骤:在具有至少一个沉积源的真空室中在基底上提供至少一个细长器件纳米结构,在所述真空室中提供至少一个细长阴影纳米结构;和通过所述沉积源在器件纳米结构和阴影纳米结构的至少一部分上沉积至少第一刻面层,其中在沉积过程中设置该沉积源、该器件纳米结构和该阴影纳米结构,使得该阴影纳米结构覆盖并在该器件纳米结构的至少一部分上形成荫罩,由此在沉积在该器件纳米结构上的第一刻面层中形成间隙。

    用于产生单光子的装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114303088A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN201980099728.5

    申请日:2019-09-20

    Abstract: 用于产生具有能量E的单光子(2)的装置(1),包括多个量子发射器(3),所述量子发射器具有至少一个具有能量E的从能级N*到位于其下的能级N1的特定跃迁,量子发射器(3)设置在从第一区域(19)延伸至第二区域(20)的传播路径(4)的区域中,该装置还包括至少一个光源(5),用于输出光(6)以便沿着传播路径传播,其中,所述光具有用于共振激励能级N*的能量E,所述量子发射器设置为使得仅正好Z个量子发射器被照射,这Z个量子发射器沿着传播路径构成所述光的光学厚度τ>0,数量Z处于Z0±10%的范围中,并且Z0是这样的数量,在该数量,在第二区域中在所述光的在该Z0量子发射器上散射的双光子分量与所述光的未散射的双光子分量之间的相消干涉最大。

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