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公开(公告)号：CN105452765A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044776.1
申请日：2014-08-06
Applicant: 住友电工印刷电路株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: F21V19/00 , F21S2/00 , F21V29/00 , H01L33/00 , F21Y115/10
CPC classification number: F21V19/002 , F21K9/232 , F21V29/70 , F21Y2107/40 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供能以低成本有效抑制正面侧发光强度变化的LED组件和LED发光装置。该LED组件设置有多个发光二极管。多个发光二极管仅布置在直圆锥体、直棱锥体、截角直圆锥体或截角直棱锥体的侧面上，所述侧面相对于底面具有55°-82°的倾斜角，多个发光二极管的发光表面与上述侧面大致平行并且相邻的发光二极管或发光二极管组的发光表面的垂直线投影在底面上而形成的投影线所形成的角度均彼此相等并为72°以下。优选的是，布置有发光二极管的侧面是直棱锥体或截角直棱锥体的侧面，一个或多个发光二极管布置在所述侧面上并且直棱锥体或截角直棱锥体的底面是5个以上侧边的多边形，该多边形形状的所有内角相等。
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公开(公告)号：CN108370643A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071741.6
申请日：2016-11-21
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工印刷电路株式会社
IPC: H05K1/02
Abstract: 根据本发明的一个实施方式的散热性线路板具备：具有绝缘片以及在该绝缘片的表面那一侧上层叠的导电图案的印刷电路板；经由导热性粘接剂层而在所述印刷电路板的绝缘片的背面那一侧上层叠的导热性基材，所述散热性线路板具有这样的散热区域，该散热区域包括所述导热性基材的投影区域的至少一部分、且其中的绝缘片的厚度小于其他区域中的绝缘片的厚度。
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公开(公告)号：CN108370643B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201680071741.6
申请日：2016-11-21
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工印刷电路株式会社
IPC: H05K1/02
Abstract: 根据本发明的一个实施方式的散热性线路板具备：具有绝缘片以及在该绝缘片的表面那一侧上层叠的导电图案的印刷电路板；经由导热性粘接剂层而在所述印刷电路板的绝缘片的背面那一侧上层叠的导热性基材，所述散热性线路板具有这样的散热区域，该散热区域包括所述导热性基材的投影区域的至少一部分、且其中的绝缘片的厚度小于其他区域中的绝缘片的厚度。
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公开(公告)号：CN106664793A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580041341.6
申请日：2015-07-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工印刷电路株式会社
CPC classification number: H01L33/647 , H01L23/3677 , H01L23/5387 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/644 , H01L2224/16225 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H05K1/02
Abstract: 在本发明中，散热电路板设置有：印刷电路板，所述印刷电路板具有绝缘膜和层叠在绝缘膜的表面侧上的导电图案，并且包括一个或多个焊盘部和连接到所述焊盘部的配线部；和一个或多个电子部件，所述一个或多个电子部件被安装在一个或多个焊盘部的表面侧上。散热电路板中还设置有印刷电路板包括导热粘结剂层，所述导热粘结剂层填充在凹部中，所述凹部延伸至导电图案并且被设置在与电子部件安装一侧相反的一侧上的焊盘部的投影区域的至少一部分上。此外，在散热电路板上，绝缘膜在俯视图中在如下区域内保留，所述区域包括焊盘部连接到配线部的边沿或与该连接边沿相对的周缘的至少一部分。
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公开(公告)号：CN105452765B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201480044776.1
申请日：2014-08-06
Applicant: 住友电工印刷电路株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: F21K9/20 , F21V19/00 , F21V29/74 , H01L33/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明的目的在于提供能以低成本有效抑制正面侧发光强度变化的LED组件和LED发光装置。该LED组件设置有多个发光二极管。多个发光二极管仅布置在直圆锥体、直棱锥体、截角直圆锥体或截角直棱锥体的侧面上，所述侧面相对于底面具有55°‑82°的倾斜角，多个发光二极管的发光表面与上述侧面大致平行并且相邻的发光二极管或发光二极管组的发光表面的垂直线投影在底面上而形成的投影线所形成的角度均彼此相等并为72°以下。优选的是，布置有发光二极管的侧面是直棱锥体或截角直棱锥体的侧面，一个或多个发光二极管布置在所述侧面上并且直棱锥体或截角直棱锥体的底面是5个以上侧边的多边形，该多边形形状的所有内角相等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100440556C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159295.2
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN100440435C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200610159297.1
申请日：2002-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。
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公开(公告)号：CN101144182A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710138204.1
申请日：2007-07-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B25/04 , C30B29/40 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/183
Abstract: 根据本发明，一种生长氮化镓晶体的方法，包括步骤：在基底基板(U)上部分地形成掩膜(M)，其抑制晶体的外延生长；通过气相淀积，在上面形成了掩膜(M)的基底基板(U)上外延生长晶体，其中在外延生长晶体的步骤中，晶体是在第一生长条件下生长的，其中以μm/h为单位表述的生长速率Vj和以绝对温度表述的生长温度T被表示为(a1/T+b1)＜Vj＜(a2/T+b2)，其中使用系数a1＝－4.39×105，b1＝3.87×102，a2＝－7.36×105和b2＝7.37×102。这样，晶体中的位错密度减小。
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公开(公告)号：CN101086963A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710110258.7
申请日：2007-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L23/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , H01S5/323 , H01S5/343 , C30B25/02 , C30B29/40
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。
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公开(公告)号：CN1275335C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN02142450.0
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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