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公开(公告)号：CN1324660C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410002205.X
申请日：2004-01-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L23/544 , C30B29/38
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及可以识别表里的矩形氮化物半导体基片。已有的GaN晶片表面是镜面，里面是粗糙面，用肉眼就能看到面粗糙度的不同从而区别表面和里面。当里面未加利用和保护时恐怕会附着粒子，也恐怕也会使弯曲变大，发生裂缝·发生破裂等。希望不用粗糙度的不同也能够区别氮化物半导体矩形基片的表里。为了区别表里在矩形GaN基片的两个角部设置按顺时钟旋转地以长短顺序排列的切除缺口，在一个角部设置形成角度5°～40°的一个切除缺口，或者使表面一侧和里面一侧的面去除量不同，或者通过写入文字来区别表里。因为能够使里面更平滑使它的状态与表面近似，所以减少粒子的附着，既能减少弯曲，也能减少裂缝碎片等的发生。
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公开(公告)号：CN1977359A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200680000265.5
申请日：2006-03-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 中山雅博
CPC classification number: C30B29/406 , C30B33/00 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶圆11，其具有实质上的圆形。氮化镓晶圆11包含：多个条纹区域13、多个单晶区域15和可目视确认的标记17。各条纹区域13，表示 轴的方向且在规定轴方向上延伸。各条纹区域13夹在单晶区域15之间。标记17设在该氮化镓晶圆11的表面11a及背面11b的至少任一面上，具有可识别的大小及形状。条纹区域13的错位密度较单晶区域15的错位密度大，且条纹区域13的结晶取向不同于单晶区域15的结晶取向。
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公开(公告)号：CN100361323C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200410011852.7
申请日：2004-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02013 , C30B29/403 , H01L21/02395 , H01L21/0254 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法，利用磨削将在表面上具有C面的氮化物半导体衬底的表面加工为面粗糙度Rms5nm～200nm。大幅度地减少了磨削时间，降低了成本。面粗糙度增加，包含数目多的凹部，从凹部倾斜地生长的结晶使位错集中于面与面的边界上，使位错从边界起朝向凹部的底部移动，由此使位错集结于凹部的底部，这样使外延生长层的位错密度减少。因为衬底的面粗糙度大，故外延生长层的表面几何形态较差，但降低了位错密度。可减少对器件特性影响大的位错密度，成为在低成本方面有用的衬底。根据本发明，能以外延生长方式生长位错密度低的GaN薄膜、InGaN薄膜、AlGaN薄膜等的氮化物类半导体薄膜，提供低成本的氮化物半导体衬底。
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公开(公告)号：CN101661910B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910170653.3
申请日：2004-08-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L33/00 , H01S5/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/30612
Abstract: 本发明涉及氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件。当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工-变换层。为了除去加工-变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工-变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H2O2，H2SO4+H2O2，HCl+H2O2或HNO3的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN101499469A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910004049.3
申请日：2006-03-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 中山雅博
IPC: H01L27/00 , H01L23/544
CPC classification number: C30B29/406 , C30B33/00 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶圆(11)，其具有实质上的圆形。氮化镓晶圆(11)包含：多个条纹区域(13)、多个单晶区域(15)和可目视确认的标记(17)。各条纹区域(13)，表示 轴的方向且在规定轴方向上延伸。各条纹区域(13)夹在单晶区域(15)之间。标记(17)设在该氮化镓晶圆(11)的表面(11a)及背面(11b)的至少任一面上，具有可识别的大小及形状。条纹区域(13)的错位密度较单晶区域(15)的错位密度大，且条纹区域(13)的结晶取向不同于单晶区域(15)的结晶取向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100511668C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200610004423.6
申请日：2004-01-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/02 , H01L21/30
Abstract: 已有的GaN晶片表面是镜面，里面是粗糙面，用肉眼就能看到面粗糙度的不同从而区别表面和里面。这不是容易看清楚的不同，当里面未加利用和保护时恐怕会附着粒子，也恐怕也会使弯曲变大，发生裂缝·发生破裂等。我们希望不用粗糙度的不同也能够区别氮化物半导体矩形基片的表里。为了区别表里在矩形GaN基片的两个角部设置按顺时针旋转地以长短顺序排列的切除缺口，在一个角部设置形成角度5°～40°的一个切除缺口，或者使表面一侧和里面一侧的面去除量不同，或者通过写入文字来区别表里。因为能够使里面更平滑使它的状态与表面近似，所以减少粒子的附着，既能减少弯曲，也能减少裂缝碎片等的发生。
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公开(公告)号：CN1994676A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610160545.4
申请日：2003-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼公司
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。
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公开(公告)号：CN1275296C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410001842.5
申请日：2004-01-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24D5/00 , B24D7/00 , C30B29/38
CPC classification number: H01L29/0657 , B24B9/065 , B24B21/002 , H01L21/02021
Abstract: 本发明涉及缘经过研磨的氮化物半导体基片及其边缘加工方法，通过把圆形氮化物半导体基片的外周部内接于在柔软的带面上附着砂粒的带状砂轮上，使带状砂轮跨接于氮化物半导体基片的外周面和边缘部，并且通过调节带子的张力而在氮化物半导体基片的外周部上施加一定的压力，提供切削水，一边旋转氮化物半导体基片，一边以一定的速度传送带状砂轮，更新接触带面，研磨边缘，由此使边缘部分的面粗糙度为Ra10nm～Ra5μm。因为不断地改变砂轮带所以即便使用粒子细的砂轮带也不会孔堵塞。通过用细粒子的砂轮带能够将晶片边缘部分加工到卓越的平滑度。又，本方法不仅适用于GaN而且也适用于其它的氮化物半导体基片。
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公开(公告)号：CN1604344A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410011852.7
申请日：2004-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02013 , C30B29/403 , H01L21/02395 , H01L21/0254 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法，利用磨削将在表面上具有C面的氮化物半导体衬底的表面加工为面粗糙度Rms5nm～200nm。大幅度地减少了磨削时间，降低了成本。面粗糙度增加，包含数目多的凹部，从凹部倾斜地生长的结晶使位错集中于面与面的边界上，使位错从边界起朝向凹部的底部移动，由此使位错集结于凹部的底部，这样使外延生长层的位错密度减少。因为衬底的面粗糙度大，故外延生长层的表面几何形态较差，但降低了位错密度。可减少对器件特性影响大的位错密度，成为在低成本方面有用的衬底。根据本发明，能以外延生长方式生长位错密度低的GaN薄膜、InGaN薄膜、AlGaN薄膜等的氮化物类半导体薄膜，提供低成本的氮化物半导体衬底。
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公开(公告)号：CN100552888C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200480031798.0
申请日：2004-08-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L21/30612
Abstract: 当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工-变换层。为了除去加工-变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工-变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H2O2，H2SO4+H2O2，HCl+H2O2或HNO3的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。
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