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公开(公告)号：CN101578699A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001465.1
申请日：2008-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9505 , G01N21/894 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供具有均匀半导体膜的半导体晶片。对于2英寸直径的半导体晶片(1)，在每一个半导体晶片(3)中形成一个至20个的针孔(3)。因而，在形成半导体膜之后获得半导体晶片(1)的翘曲值减小以及在曝光之后获得尺寸变化减小的效果。可以预计，通过针孔(3)的存在而导致半导体晶片(1)的表面上的位错被消除，从而能够获得这种效果。能够均匀化半导体膜的膜质量，以及均匀化半导体装置的性能，并且可以防止半导体晶片(1)破碎。
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公开(公告)号：CN1534734A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410001842.5
申请日：2004-01-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24D5/00 , B24D7/00 , C30B29/38
CPC classification number: H01L29/0657 , B24B9/065 , B24B21/002 , H01L21/02021
Abstract: 本发明涉及缘经过研磨的氮化物半导体基片及其边缘加工方法。用旋转砂轮倾斜地研削边缘部分(斜削)，但是成为使边缘部分的面粗糙度恶化(Ra10μm～6μm)、晶片发生破碎、破裂、裂缝等的原因。使圆形独立GaN晶片的边缘部分的面粗糙度为Ra10nm～Ra5μm。最好为Ra10nm～Ra1μm。更好为Ra10nm～Ra0.1μm。一面用砂轮带以弱的均匀的按压力压住晶片的侧周，一面使晶片旋转并改变砂轮带进行加工。因为不断地改变砂轮带所以即便使用粒子细的砂轮带也不会孔堵塞。通过用细粒子的砂轮带能够将晶片边缘部分加工到卓越的平滑度。又，本方法不仅适用于GaN而且也适用于其它的氮化物半导体基片。
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公开(公告)号：CN101138833A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149727.6
申请日：2007-09-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B33/00 , B24B37/04 , C09G1/02 , C30B29/403 , H01L21/02008
Abstract: 本发明公开一种可获得平坦度优良的Ⅲ族氮化物衬底的Ⅲ族氮化物衬底制造方法，其包括步骤：将多个条纹型Ⅲ族氮化物衬底粘附到研磨支撑台上，以使得条纹结构方向垂直于研磨支撑台的旋转方向；和粗磨、精磨和/或抛光该衬底。
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公开(公告)号：CN100361323C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200410011852.7
申请日：2004-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02013 , C30B29/403 , H01L21/02395 , H01L21/0254 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法，利用磨削将在表面上具有C面的氮化物半导体衬底的表面加工为面粗糙度Rms5nm～200nm。大幅度地减少了磨削时间，降低了成本。面粗糙度增加，包含数目多的凹部，从凹部倾斜地生长的结晶使位错集中于面与面的边界上，使位错从边界起朝向凹部的底部移动，由此使位错集结于凹部的底部，这样使外延生长层的位错密度减少。因为衬底的面粗糙度大，故外延生长层的表面几何形态较差，但降低了位错密度。可减少对器件特性影响大的位错密度，成为在低成本方面有用的衬底。根据本发明，能以外延生长方式生长位错密度低的GaN薄膜、InGaN薄膜、AlGaN薄膜等的氮化物类半导体薄膜，提供低成本的氮化物半导体衬底。
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公开(公告)号：CN103014866B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210441633.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101553605A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780039049.6
申请日：2007-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明获得一种其上能够形成良好质量外延生长层的III族氮化物衬底，以及一种制造上述衬底的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。
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公开(公告)号：CN103014866A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210441633.7
申请日：2007-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。
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公开(公告)号：CN101570004A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910138035.0
申请日：2009-05-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02013 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L24/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了III族氮化物晶体及其表面处理方法，以及III族氮化物的叠层体和半导体器件及其制造方法。所述III族氮化物晶体的表面处理方法包括如下步骤：使用莫氏硬度高于7的硬磨粒对III族氮化物晶体的表面进行研磨；以及使用不含磨粒的抛光液对所述III族氮化物晶体的经研磨表面进行无磨粒抛光，并且所述不含磨粒的抛光液的pH为1以上且6以下，或者为8.5以上且14以下。相应地，根据所提供的III族氮化物晶体的表面处理方法，能够除去残留在研磨晶体处的硬磨粒以减少晶体表面处的杂质。
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公开(公告)号：CN101106081A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710111857.0
申请日：2007-06-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L23/00 , B24B1/00
Abstract: 单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。
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公开(公告)号：CN101081485A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710108825.5
申请日：2007-05-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B24B29/00 , H01L21/304 , C09G1/02 , C09K3/14
Abstract: 用于氮化物晶体的表面处理方法是化学和机械抛光氮化物晶体(1)的表面的表面处理方法。使用氧化物磨粒(16)。磨粒(16)具有至少－850kJ/mol的标准生成自由能作为每1摩尔氧分子的转换值，并具有至少为4的莫氏硬度。该表面处理方法有效地提供了具有形成于其上的平滑且高质量表面的氮化物晶体，用于有效地获得可以用于半导体器件的氮化物晶体衬底。
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