公开(公告)号：CN106367811A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610808851.8

申请日：2013-02-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B31/04 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/812 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明涉及碳化硅衬底、半导体器件及其制造方法。该碳化硅衬底(1)具有第一主面(1A)和面对第一主面(1A)的第二主面(1B)。包含第一主面(1A)和第二主面(1B)中的至少一个的区域包括单晶碳化硅。在该主面中的一个上，硫原子以60×1010原子/cm2到2000×1010原子/cm2的范围存在，作为杂质的碳原子以3at％到25at％的范围存在。由此，可以提供具有稳定表面的碳化硅衬底、使用该碳化硅衬底的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102484059B9

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201080040221.1

申请日：2010-11-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  二村真史 ,  西浦隆幸

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种研磨剂和利用所述试剂制造化合物半导体的方法和制造半导体器件的方法，由此能够有利地保持化合物半导体衬底的表面品质，还能够保持高研磨速率。所述研磨剂为用于GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≤α≤1；0≤β≤1)化合物半导体的研磨剂，且包含碱金属碳酸盐、碱金属有机酸盐、氯基氧化剂和碱金属磷酸盐，其中所述碱金属碳酸盐和所述碱金属有机酸盐的浓度总和为0.01mol/L～0.02mol/L。所述制造化合物半导体的方法包括：准备GaαIn(1-α)AsβP(1-β)(0≤α≤1；0≤β≤1)化合物半导体的步骤，以及利用上述研磨剂对所述化合物半导体的面进行研磨的步骤。

公开(公告)号：CN104538525A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410696177.X

申请日：2009-01-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  中西文毅

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法。该化合物半导体衬底(10)由Ⅲ族氮化物构成且表面具有表面层(12)，该表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物、和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物。本发明人发现：当化合物半导体衬底(10)的表面的表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物时，化合物半导体衬底(10)与形成于其上的外延层(14)之间的界面处的Si减少，结果界面处的电阻降低。

公开(公告)号：CN102484181A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039771.1

申请日：2010-01-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  善积祐介

IPC: H01L33/16 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  H01S5/343

CPC classification number: C30B33/04 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 公开了一种III族氮化物晶体衬底(1)，其特征在于，晶体衬底的表面层具有1.9×10-3或更低的均匀畸变，该均匀畸变是由X射线透入深度为0.3μm时的面间距d1和X射线透入深度为5μm时的面间距d2得到的|d1-d2|/d2的值表示的，该面间距是由改变自晶体衬底的主表面(1s)的X射线透入深度同时满足III族氮化物晶体衬底的任意特定平行晶格面的X射线衍射条件的X射线衍射测量得到的特定平行晶格面的面间距；并且主表面(1s)的面取向在 方向上从晶体衬底的(0001)和(000-1)面(1c)在10°至80°的范围内倾斜。这能够提供适合于制造防止光蓝移的发光器件的III族氮化物晶体衬底、具有外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN101312164B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810130622.0

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN101884094A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200980101212.6

申请日：2009-02-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  三上英则 ,  松本直树

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  Y10S438/928 ,  Y10S438/959 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的加工方法，在对氮化物半导体晶体进行背面磨削、外周磨削(倒角)、表面磨削及研磨来形成镜面晶片时，翘曲小，不产生裂纹，基板制作工艺成品率高，设备面内成品率高。利用含有0～40重量％的氧化物砂粒的橡胶磨石或发泡树脂结合剂磨石，对氮化物半导体晶片外周部进行倒角，在外周部保留厚度为0.5μm～10μm的加工变性层。

公开(公告)号：CN101792929A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010111026.5

申请日：2006-04-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/40 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/32 ,  C09G1/02 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物晶体基材，所述基材包括：厚度为50nm以下的受影响层；和厚度为3nm以下的表面氧化层。本发明还提供了一种半导体设备，所述半导体设备包括上述的III族氮化物晶体基材。本发明提供的另一种III族氮化物晶体基材除上述两层外还包括通过外延生长在所述III族氮化物晶体基材上形成的至少一个III族氮化物层。

公开(公告)号：CN101548400A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000776.6

申请日：2008-04-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系InXGa1－XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。六方晶系InXGa1－XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。

公开(公告)号：CN101350333A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810130234.2

申请日：2008-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 长田英树 ,  笠井仁 ,  石桥惠二 ,  中畑成二 ,  京野孝史 ,  秋田胜史 ,  三浦祥纪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的GaN衬底、具有在GaN衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该GaN衬底的方法，通过该GaN衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，如具有改进性能如发光效率、工作寿命等的发光元件。GaN衬底具有主表面，并包括低缺陷晶体区和邻近于低缺陷晶体区的缺陷集中区。低缺陷晶体区和缺陷集中区从主表面延伸到位于主表面的反向侧的后表面。面方向[0001]相对于该主表面的法线矢量在偏斜角方向上倾斜。

公开(公告)号：CN101312165A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810130625.4

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。